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安森美半导体推出4款便携应用最小封装肖特基势垒二极管
安森美半导体(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能。
2009-08-24
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xxWTxxFN系列：Vishay第五代肖特基二极管
日前，Vishay推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二极管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件将 D-Pak 的电流能力扩展至高达 20 A，从而确定了业界的新标准。这些器件采用次微米沟槽技术，适合用作高效率、高密度解决方案的独立封装，以及 D2-Pak 封装的低成本小型替代品。RBSOA 可实现紧凑、低成本设计。
2009-03-02
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英飞凌推出性能改进的第三代碳化硅肖特基二极管
SiC肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源（SMPS）的有源功率因数校正（CCM PFC）和太阳能逆变器与电机驱动器等其他AC/DC和DC/DC电源转换应用。
2009-02-19
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SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管--- SiB800EDK，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在 100 mA 时具有 0.32V 低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V 栅极驱动时规定的额定导通电阻的 MOSFET 进行了完美结合。
2008-12-15
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SiE726DF：Vishay首款双面冷却30V功率MOSFET和肖特基二极管
Vishay目前宣布，推出业内首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管，该可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率。
2008-09-24
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二极管
Vishay宣布推出最大结温高达 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。
2008-07-11
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