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具有更高效率与优势的碳化硅技术
碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的SiC电源解决方案。
2023-07-19
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了解这些 就可以搞懂 IGBT
绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制和感应加热。
2023-07-18
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绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件感到兴奋，但硅基绝缘栅双极晶体管(IGBTs)在今天比以往任何时候都更加重要。在我们10月份发布的电动汽车电力电子报告[2]中，TechInsights预测，xEV轻型汽车动力总成的产量将从2020年的910万增长到2026年的4310万，这使得其复合年增长率(CAGR)达到25%。SiC MOSFET目前预计占市场的约26%，到2029年预计将占市场份额的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第一部分，将重点介绍安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的静态特性。
2023-07-13
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针对电动马达控制，在指定绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 时的考虑
针对所有的应用，人们越来越注意电动马达的运作效率；因此，对高效率驱动器的需求变得日益重要。此外，使用马达驱动的设计，例如电动马达、泵和风扇，需要降低整体成本，且需要减低这些电动马达应用中的能耗；因此，为电动马达及其的驱动指定高效率的设计，以适合每项特定应用变得更加重要。
2023-06-28
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用
英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化，并配备了全电流EC7 rapid二极管。凭借极低的开关损耗、导通损耗和丰富的产品系列，H7单管正在成为光伏和储能应用的新星。
2023-06-26
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SMPD先进绝缘封装充分发挥SiC MOSFET优势
SMPD可用于标准拓扑结构，如降压、升压、桥臂(phase-leg)，甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅，或定制组合，具有从40V到3000V不同电压等级。
2023-06-07
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相较IGBT，SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能？
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动，传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组，成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。
2023-06-06
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满足当今电源需求的全系列栅极驱动电源产品
电源是电子设备的基础，其中的栅极驱动器是稳定提供设备电源的关键。栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器芯片的低功率输入，并为高功率晶体管（例如IGBT或功率MOSFET）的栅极产生高电流驱动输入。本文将为您介绍栅极驱动电源与DC-DC转换器的技术概念，以及由Murata推出的隔离栅极驱动电源产品系列的功能特性。
2023-06-02
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安森美和上能电气携手引领可持续能源应用的发展
智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），宣布上能电气（Sineng Electric）将在其公用事业级太阳能逆变器和引领业界的200 kW 储能系统（ESS）中集成安森美的EliteSiC SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模块（PIM）。两家公司合作开发的优化方案，将最大程度地提高太阳能逆变器及储能变流器的性能。
2023-05-17
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IGBT模块是如何失效的？
IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装。
2023-05-11
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瑞能半导体在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解决方案
【2023年5月9日 - 德国纽伦堡】当地时间5月9日，全球领先的功率半导体供应商瑞能半导体携其最新产品亮相在德国纽伦堡揭幕的PCIM Europe 2023。产品组合包含碳化硅器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET, IGBT，保护器件以及功率模块，丰富的产品矩阵彰显了瑞能半导体领先的产品实力和对未来电力电子行业可持续发展的思考，受到了与会者的高度关注。CEO Markus Mosen先生率领公司研发工程师、市场部、销售部组成的参展团队出席了活动现场。
2023-05-10
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