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了解为高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的挑战
了解为当今高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的关键挑战，是设计一个满足每位设计工程师要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的优化的电源系统方案的关键要素。电源系统设计人员需要知道不同应用中的电源方案有何不同，比方说，一个800万像素（MP）的相机与一个5000万像素的相机的电源方案有何不同，或帧率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改变他们的电源设计，多大频率需要高电源抑制比(PSRR)，等等。本文意在强调在为当今任何图像传感器确定供电方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信号模型
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8 W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态电流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加热特性，并且元件参数的非线性与信号电平、热效应和环境条件之间存在复杂的依赖关系。这些因素往往给准确预测器件大信号性能造成更多困难。
2022-09-15
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贸泽赞助Silicon Labs主办的Works With 2022年开发者大会
2022年9月14日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成为Silicon Labs Works With 2022年线上会议的钻石赞助商。Works With是一场以互联设备开发为主题的免费网络活动，将于9月13日至15日举行。欲了解更多信息并免费注册，请访问Works With 2022官方页面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
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深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素，包括器件特性、工作条件和外部电路；解释了开关损耗的主要影响因素，并确定了影响器件行为和使用的重要因素，这些因素可以显著提升SiC MOSFET在功率电路中的开关性能。
2022-09-13
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瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度
2022年9月6日，瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大举办的第九届中国国际半导体高管峰会（以下简称：CISES）。在CISES上，Markus Mosen先生发表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加绿色的未来》的主题演讲，聚焦在“双碳”背景的驱动下，碳化硅产业充满的机遇和前景，重点结合了最新推出的1700V SiC MOSFET产品的效率优势，详解了瑞能半导体在应用领域的建树。
2022-09-08
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通过仿真分析ZVS工作原理
零电压开关（Zero Voltage Switch）振荡电路是功率开关管在导通和关断（模式切换时）两端电压为0（实际上应该是非常接近于0）的电路，这种特性使得电路功率损耗变小，所以被广泛 应用到大功率加热、高压电路中。比如在一些LLC 电源， 电磁炉驱动电路中。本文基于 LTspice 仿真，分析了 ZVS 振荡器的工作原理以及相关的参数设计。
2022-09-08
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带有集成式背磁体、先进全同步数字IC和EMC保护的真正通电状态凸轮轴传感器
之前我们介绍过Allegro 针对完全和轻度混合动力发动机应用的巨磁阻（GMR）曲轴传感器ATS16951，和这款曲轴传感器完美配套的凸轮轴传感器是Allegro 带有集成式背磁体（back-biasing magnet）、先进全同步数字IC和EMC保护的ATS16351。这两款产品能够绝佳配合，帮助设计人员实现优化的发动机设计，减少供应商数量，降低系统复杂性。
2022-09-07
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带过流保护的低侧栅极驱动器PCB布局技巧
英飞凌的1ED44173/5/6是新的低侧栅极驱动器IC，集成了过流保护（OCP）、故障状态输出和启用功能。这种高集成度驱动器对于采用升压拓扑结构并接参考地的PFC（数字控制功率因数校正）应用非常友好。
2022-09-05
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200kW逆变器参考设计
基于派恩杰1200V/400A SiC 模块PAA12400BM3开发的800V 电机驱动平台。采用如图1所示三相桥式拓扑结构，母线额定电压为650V，工作母线电压范围为400-800V，最大输入直流电流为200A，最大输出连续功率为120kW，最大持续相电流为160A, 短时峰值功率为200kW/30s，短时峰值电流300A，使用SiC模块的三相逆变器在效率上有了极大的提升，并且体积也相对减小，派恩杰62mm封装SiC模块最大工作结温可达175℃，采用铜基板进行散热。
2022-09-05
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瑞萨将收购Steradian以扩大其在雷达市场的业务范围
2022 年 9 月 1 日，日本东京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，已达成最终协议，以全现金交易方式收购位于印度班加罗尔的无晶圆半导体公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”），该公司提供4D成像雷达解决方案。根据惯例成交条件，此次收购预计将于2022年年底完成。收购Steradian的雷达技术将使瑞萨电子扩大其在雷达市场的影响力，并提升其汽车和工业传感解决方案的实力。
2022-09-02
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爱芯元智亮相2022世界人工智能大会，核心技术AI-ISP“爱芯智眸”正式发布
中国 上海 2022年9月1日——人工智能视觉感知芯片研发及基础算力平台公司爱芯元智宣布，受邀出席为期3天的2022世界人工智能大会（WAIC）。大会以“智联世界 元生无界”为主题，集中展示全球人工智能发展成果，把握人工智能与元宇宙相融互促的发展趋势，描绘AI时代的美好图景。作为受邀参展公司之一，爱芯元智携全系列端侧边缘侧AI芯片产品及智能消费、智慧城市、智慧交通等多领域应用解决方案亮相，展现“芯向未来 视界无界”的AI“芯”生态，并正式公布了自研核心技术AI-ISP“爱芯智眸®”。
2022-09-02
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爱芯元智CEO仇肖莘出席WAIC2022芯片主题论坛，探讨AI芯片的“差异化价值”
9月2日，2022世界人工智能大会正式开幕，全球人工智能发展成果和“AI+元宇宙”最新实践集中亮相，深度演绎“智联世界 元生无界”这一主题。作为大会重磅级论坛之一，由上海市集成电路行业协会承办的芯片主题论坛1日下午在张江科学馆举行，人工智能芯片领域院士专家、代表性国内外知名企业家和领军人物齐聚，共话“AI未来，感知芯世界”。圆桌会议环节，爱芯元智创始人兼董事长、CEO仇肖莘博士等AI芯片领域代表人物受邀出席，围绕元宇宙背景下的芯片市场端拓展、场景应用、生态环境建设等话题进行分享交流，探讨元宇宙时代芯片如何破局。
2022-09-02
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