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桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时
在功率开关器件最常见的应用中，包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为，在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中，介绍了相互影响的动作情况。
2022-11-16
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2个NPN三极管组成的恒流电路，如何工作？
根据T2三极管Vbe钳位，知道了T1发射极电压，得出Ie的电流，Ic等于Ie，Ic有了，集电极电压有了，可以算出Vce是合理的，即假设成立，T1工作在发放大区。
2022-11-16
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兆易创新：进军模拟芯片，瞄准电源芯片PMIC和DC/DC等
近日，由行业顶流易维讯（EEVIA）主办的“第十届年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会”在深圳威斯汀酒店举行，来自英飞凌、兆易创新、Imagination、ADI和加贺富仪艾等知名公司的专家和高管带来汽车芯片、双碳等热门话题的深度趋势研讨。
2022-11-15
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AMP 创新型电动汽车充电解决方案采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件
全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. 近日宣布，电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司将在其电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。
2022-11-14
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如何将第三代 SiC MOSFET 应用于电源设计以提高性能和能效
在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。
2022-11-14
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安森美将在2022年德国慕尼黑电子展(Electronica)展示多种创新技术
领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）将在德国慕尼黑电子展(以下简称“electronica”)展示并演示其最新创新。
2022-11-11
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还没使用SiC FET？快来看看本文，秒懂SiC FET性能和优势！
在功率电子器件领域，工程师们梦想有一种完美的半导体开关，它没有导电损耗和开关损耗，电压无穷大，没有漏电且易于驱动。不幸的是，物理学告诉我们，它仅仅存在于梦想中，但是采用最新SiC FET宽带隙半导体的开关已经非常接近这一理想开关，这种半导体开创了新的应用领域，提升了旧开关的效率，还有助于节省能量和成本。
2022-11-11
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贸泽丰富的射频无线设计资源为工程师设计提供强大支持
专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 拥有广泛的信息资源，能帮助工程专业人员进一步强化其射频无线解决方案设计。
2022-11-10
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Digi-Key推出特别优惠，庆祝双十一购物狂欢节
全球供应品类丰富、发货快速的现货电子元器件分销商Digi-Key Electronics， 日前宣布为庆祝双十一购物狂欢节，将为中国客户在11 月份期间用人民币购买的精选开发套件和工具提供免费送货服务。
2022-11-09
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贸泽电子新品推荐：2022年第三季度推出超过11350个新物料
2022年11月8日 – 致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)，首要任务是提供来自1200多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2022-11-08
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科普：MOSFET结构及其工作原理
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。
2022-11-04
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贸泽与ST合作推出新电子书，探讨响应式边缘人工智能的未来
2022年11月3日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与STMicroelectronics (ST) 合作推出新电子书《Intelligence at the Edge》（边缘智能），探讨部署在边缘的人工智能 (AI) 与机器学习 (ML) 的新发展。书中来自贸泽和ST的主题专家深入分析了边缘AI和ML开发的挑战和应用，其精选文章涵盖智能传感器、嵌入式神经网络和响应式AI等主题。
2022-11-03
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