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瑞能半导体在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解决方案
【2023年5月9日 - 德国纽伦堡】当地时间5月9日，全球领先的功率半导体供应商瑞能半导体携其最新产品亮相在德国纽伦堡揭幕的PCIM Europe 2023。产品组合包含碳化硅器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET, IGBT，保护器件以及功率模块，丰富的产品矩阵彰显了瑞能半导体领先的产品实力和对未来电力电子行业可持续发展的思考，受到了与会者的高度关注。CEO Markus Mosen先生率领公司研发工程师、市场部、销售部组成的参展团队出席了活动现场。
2023-05-10
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1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升变频器系统性能（上）
本文介绍了针对电机驱动进行优化的全新1200 V IGBT和二极管技术。该IGBT结构基于全新微沟槽技术，与标准技术相比，可大幅减少静态损耗，并具备高可控性。而二极管因为优化了场截止设计，其振荡发生的可能性大幅降低。在功率模块中，IGBT和二极管的出色性能可带来更高的电流密度和更大的输出电流。不仅如此，通过将功率模块的最高结温提升到175 °C，输出电流可增加50%以上。
2023-05-04
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为什么IGBT是适合斩波应用的器件
斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和可靠性，因此，如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。
2023-04-29
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快速开关TRENCHSTOP 5 IGBT
紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数(PF)。特别是空调，其额定功率为1.8kW或更大，是最耗电的设备之一。在这里，功率因数校正(PFC)是强制性的，对于PFC，设计者认为IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是具有最高性价比的开关器件。
2023-04-28
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超共源共栅简史
尽管宽带隙半导体已在功率开关应用中略有小成，但在由 IGBT 占主导的高电压/高功率领域仍未有建树。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共栅” 将打破现有局面。让我们一起来了解超共源共栅的历史，并探讨如何将其重新用于优化现代设计。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短沟道效应
Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。
2023-04-24
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如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战
在本文的第一部分——《如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战》，我们提到尺寸和功率往往看起来像硬币的两面。当你缩小尺寸时，你不可避免地会降低功率。在那篇文章中，我们介绍了芯片缩小对热性能的影响，以及如何通过优化芯片位置和模块布局来减轻这种影响。现在，让我们来看看我们如何能够改善电气性能。同样，我们将以采用TRENCHSTOP™ IGBT 7技术的新型1200V、600A EconoDUAL™ 3模块为例，该模块针对通用驱动（GPD）、商业、建筑和农业车辆（CAV）、不间断电源（UPS）和太阳能等应用进行了优化。
2023-04-10
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如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战
尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗？如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上，就不需要抛硬币了。
2023-04-06
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为什么逆导型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC电路
对于功率因数校正（PFC），通常使用升压转换器Boost拓扑结构。它可以最大限度地减少输入电流的谐波。同时IGBT是大功率PFC应用的最佳选择，如空调、加热、通风和空调（HVAC）以及热泵。
2023-02-20
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一文搞懂IGBT的损耗与结温计算
与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
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具有集成反激式控制器的智能栅极驱动光耦合器
通过集成反激式控制器，ACPL-302J 器件允许在器件旁边放置更少的分立元件和更小的变压器和电容器，从而减少设计的整体尺寸并限度地减少电磁干扰 (EMI) 和 IGBT 通道之间的噪声耦合。通过减少设计中的这些元素，设计人员可以实现显着的成本节约。
2023-02-17
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MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10
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