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贸泽电子联手Analog Devices推出新电子书，探索电源管理领域的创新
2022年12月20日 – 贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices联手推出一本新电子书，探索近期的电源管理创新技术，以及如何将这些技术应用于各种产品中。这本名为《Power Management for All of Tomorrow’s Innovations》（面向所有未来创新的电源管理）的电子书探讨了面向尖端应用的新技术发展，这些应用包括电动汽车、资产追踪、可穿戴设备和物联网 (IoT) 设备。
2022-12-20
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宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估
汽车行业发展创新突飞猛进，车载充电器（OBC）与DCDC转换器（HV-LV DCDC）的应用因此也迅猛发展，同应对大多数工程挑战一样，设计人员把目光投向先进技术，以期利用现代超结硅（Super Junction Si）技术以及碳化硅（SiC）技术来提供解决方案。在追求性能的同时，对于车载产品来说，可靠性也是一个重要的话题。
2022-12-20
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简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加，并且在众多新技术中发挥着核心作用，包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。
2022-12-19
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碳化硅器件驱动设计之寄生导通问题探讨
富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。
2022-12-16
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通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。
2022-12-16
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分析自动化第三季度市场数据，看IC与方案需求
今年第三季度，电池和光伏制造业订单增长最好，印刷、制药、暖通空调、食品机械和电梯持平，其它行业都有降低。相关应用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和电源管理IC需求受终端设备制造商影响有变化，PLC和工控机用HMI方案和网关也有市场需求起伏。其中伺服、CNC增长率为负，低压变频器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增长，其中PLC整体表现相对亮眼，达到两位数以上的增长率。
2022-12-16
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使用 SiC JFET 接近完美开关
碳化硅 (SiC) JFET坚固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受额定值，而且值得注意的是，它们在每单位芯片面积的 FOM 导通电阻R DS(on) × A方面击败了所有其他技术，实现了价值接近材料的理论极限（图 1）。这个品质因数直接关系到开关的实际性能及其经济性，与竞争技术相比，每个晶圆的芯片数量更多，性能相当。
2022-12-16
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Vicor携手贸泽推出以48V设计为主题的全新资源网站
2022年12月14日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Vicor联手推出一个全新的资源网站，提供各种面向48V产品和电源设计的资源。该网站包含一系列深入详细的文章、视频和信息图，为设计人员和制造商提供了全面的资源，助其开发采用48V较高压配电系统的新型电源。
2022-12-14
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数字电容器 IC 如何简化天线调谐？
天线调谐要求的源阻抗和负载阻抗共轭匹配，从无线技术诞生开始一直延续至今，而今已经演变成一种新的、更具挑战性的形式。
2022-12-14
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安森美智能电源产品斩获中国“2022年Top 10电源产品奖”多项殊荣
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布其创新的智能电源产品在“2022年Top 10电源产品奖”评选中荣获多项奖项。其中，APM32系列汽车碳化硅功率模块获“2022 Top 10电源产品奖”，汽车主驱碳化硅功率模块VE-Trac™ Direct SiC获“最佳应用奖”，高功率图腾柱PFC控制器NCP1681获“绿色节能奖”。“Top 10电源产品奖”由21IC中国电子网主办，备受行业认可，获得该殊荣的产品代表其在本年度具有极高的产品力和技术创新能力。
2022-12-13
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。
2022-12-13
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桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：关断时
具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET产品相比，在桥式结构情况下的栅-源电压的行为不同。在上一篇文章中，我们介绍了LS（低边）SiC MOSFET导通时的行为。本文将介绍低边SiC MOSFET关断时的行为。
2022-12-12
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