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高转换率、符合CISPR 5类电磁辐射标准的稳压器长这样
当设计中需要优先考虑并尽可能减少EMI（电磁干扰）时，线性稳压器可以算得上一种低噪声解决方案，但考虑到散热和效率要求其并不适用于该种场景，反而需要选择开关稳压器。即使在对EMI敏感的应用中，开关稳压器通常也是输入电源总线上的第一个有源元件，无论下游变换器如何，它都会显著影响整个转换器的EMI性能。确保可以通过电源IC的选取可以抑制EMI并达到效率要求，LT8614 Silent Switcher™稳压器做到了这一点。
2022-09-29
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什么是射频衰减器？如何为我的应用选择合适的RF衰减器？
本文延续之前的一系列短文，面向非射频工程师讲解射频技术；我们将探讨IC衰减器，并针对其类型、配置和规格提出一些见解。本文旨在帮助工程师更快了解各种IC产品，并为终端应用选择合适的产品。该系列的相关文章包括："为应用选择合适的RF放大器指南"、"如何轻松选择合适的频率产生器件"和"RF解密–了解波反射"。
2022-09-28
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使用碳化硅进行双向车载充电机设计
电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到 2 kW，到高端电动汽车中的 22 kW 不等。传统上，充电功率是单向的，但近年来，双向充电越来越受到关注。本文将重点关注双向 OBC，并讨论碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC 中的优势。
2022-09-27
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构建满足特定应用要求的DPS系统需要考虑这些因素！
器件电源(DPS) IC具有灵活的电压驱动和电流驱动容量，能够为自动测试设备(ATE)提供动态测试能力。当负载电流介于两个设定限流值之间时，DPS IC可以作为电压源；在达到设定限流值时，DPS IC可以顺利转换为精密电流源。
2022-09-27
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技术如何提高器件性能和寿命
由于碳化硅（SiC）器件的低导通损耗和低动态损耗，英飞凌CoolSiC™ MOSFET越来越多地被用于光伏、快速电动车充电基础设施、储能系统和电机驱动等工业应用。但与此同时，工程师也面临着独特的设计挑战。实现更小的外形尺寸，同时保持功率变换系统的散热性能，是相互矛盾的挑战，但英飞凌创新的.XT技术与SiC技术提供了一个解决方案。
2022-09-27
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关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响
本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应，指栅偏压变化时，阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中，电荷的短期俘获和释放引起的。因此，关断时的栅极电压欠冲会对碳化硅（SiC）MOSFET的开关特性产生影响。
2022-09-20
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如何加强对Type-C数据线的充电保护？
USB Type-C（USB-C）电缆和连接器规范极大地简化了实现互连和为数码相机和超薄平板电脑等电子产品供电的方式（图1）。该规范支持高达15W的USB-C充电应用，而USB-C功率传输（PD）将充电能力扩展至100W，包括各种可互换充电的设备。USB Type-C在系统保护方面带来了新的挑战。新连接器的间距比USB Micro-B小，增加了VBUS发生机械短路的风险。此外，由于USB PD具有高电压，需要更强大的保护。最后，电子负载越来越复杂，需要加强ESD和电压浪涌保护。此设计解决方案首先探讨了USB Type-C PD架构以及与D+/D-数据信号保护相关的挑战，然后提出了一种高度集成的2xSPDT开关，只需较少的BOM和PCB占用空间，就能够攻克这些挑战。
2022-09-19
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加速工业自动化升级，贸泽电子2022技术创新周第二期活动来袭
2022年9月16日 – 专注于引入新品推动行业创新™的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布于9月19 - 22日举办贸泽电子技术创新周第二期专题活动。本期内容将重点聚焦工业自动化，特邀来自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas Instruments等国际知名厂商的资深技术专家，并携手哈尔滨工业大学电磁驱动与控制研究所副所长，宁波市智能制造技术研究院副院长在每天下午14:00-15:10和15:10-16:10两个时间段，为大家带来工业自动化的前沿应用与方案，展望工业自动化未来发展趋势。
2022-09-16
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Molex与贸泽联手推出射频连接器内容中心，介绍射频连接器在智能农业等领域中的应用
2022年9月15日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Molex合作推出新的内容中心，深入探索射频连接器的功能、挑战和变革潜力。此内容中心提供十多项关于射频技术的丰富资源，包括播客节目、白皮书、博客文章和产品指南等。每项内容都直接链接到贸泽网站上的Molex产品页面，让用户轻松找到其设计所需的工具。
2022-09-15
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了解为高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的挑战
了解为当今高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的关键挑战，是设计一个满足每位设计工程师要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的优化的电源系统方案的关键要素。电源系统设计人员需要知道不同应用中的电源方案有何不同，比方说，一个800万像素（MP）的相机与一个5000万像素的相机的电源方案有何不同，或帧率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改变他们的电源设计，多大频率需要高电源抑制比(PSRR)，等等。本文意在强调在为当今任何图像传感器确定供电方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信号模型
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8 W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态电流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加热特性，并且元件参数的非线性与信号电平、热效应和环境条件之间存在复杂的依赖关系。这些因素往往给准确预测器件大信号性能造成更多困难。
2022-09-15
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贸泽赞助Silicon Labs主办的Works With 2022年开发者大会
2022年9月14日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成为Silicon Labs Works With 2022年线上会议的钻石赞助商。Works With是一场以互联设备开发为主题的免费网络活动，将于9月13日至15日举行。欲了解更多信息并免费注册，请访问Works With 2022官方页面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
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