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电解电容
在博文 基于光耦的LED振荡电路[1] 介绍了一款基于光耦的多谐振荡电路，对于光耦前向耦合电流增益的特性进行了讨论。博文分别被公众号 TSINGHUAZHUOQING[2] 与 电子工程专辑[3] 转载。
2022-06-14
电解电容 光耦 振荡电路
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“创新强链，双驱发展”2022年中国（深圳）集成电路峰会
由深圳市人民政府联合中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组共同举办的以“创新强链，双驱发展”为主题的“2022 中国（深圳）集成电路峰会”（以下简称：ICS2022 峰会），将于2022年6月30日至7月1日在深圳坪山格兰云天国际酒店隆重举行。
2022-06-13
中国（深圳）集成电路峰会
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功率半导体冷知识：功率器件的功率密度
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。我们一路追求单位芯片面积的输出电流能力，实现方法是：
2022-06-13
功率器件 功率密度
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25kW SiC直流快充设计指南(第五部分)：控制算法、调制方案和反馈
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我们从硬件角度分享并广泛介绍了25 kW电动汽车充电桩的开发。图1代表到目前为止所讨论的系统。
2022-06-13
直流快充 设计指南 控制算法
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电动汽车对提高车辆效率的需求正在改变供应链
几年来，xEV的普及率一直很高。预计2021至2027年间，全球xEV市场的复合年增长率将达到21%，所有细分市场的复合年增长率都将加快。随着BEV采用率的快速增长，混合动力技术也将大幅增长。事实上，不同技术的普及率取决于地区。
2022-06-13
电动汽车 车辆效率 供应链
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保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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贸泽电子荣获知名互连厂商Hirose颁发的年度分销商大奖
2022年6月10日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布荣获创新连接器解决方案知名设计和制造商Hirose Electric USA颁发的2021年度分销商大奖。这个年度分销商奖旨在表彰在销售额和增长率，以及客户服务和满意度方面表现突出的分销商。
2022-06-10
贸泽电子 Hirose 连接器
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