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安森美(onsemi)将收购GT Advanced Technologies
2021年8月26日 —领先的智能电源和感知技术供应商安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)和碳化硅 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies ("GTAT") 于美国时间8月25日宣布已达成最终协议。根据该协议，安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。
2021-09-01
安森美 收购 GTAT
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祝贺贸泽ECAD模型下载次数突破百万
2021年8月26日 – 专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布其工程客户通过mouser.com 上的ECAD资源下载模型的次数突破了100万。 自全球授权分销商贸泽电子推出ECAD网站以来，已有来自181个国家/地区将近10万名独立用户下载了贸泽的ECAD模型。
2021-09-01
贸泽 ECAD模型 下载
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贸泽与ADI联手推出新电子书《Industry 4.0 and Beyond》
2021年8月25日 – 专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices Inc.联手推出新电子书Industry 4.0 and Beyond，探索工业4.0的技术创新和广泛应用。在这本书中，Analog Devices的技术专家就工业连接、状态监测、软件可配置硬件、工厂安全以及机...
2021-09-01
贸泽 ADI 电子书
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利用可采用电子方式重新配置的GaN功率放大器，彻底改变雷达设计
本文首次展示了一种基于多频段发射器设计的可靠商用大功率放大器，该放大器采用了 Charles Campbell 演示的可重新配置的 PA 专利技术 [2,3,4]。可重新配置的 PA 采用可根据每个相关频段的控制位设置重新配置的单输入和单输出匹配网络。每个位设置针对特定频段的最优性能配置所有匹配网络，从而使 PA...
2021-09-01
GaN 功率放大器 雷达设计
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利用宽带隙半导体技术提高功率转换效率
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
2021-09-01
宽带隙半导体技术 功率转换效率
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改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力
肖特基二极管（SBD）具有反向恢复时间（trr）短、正向电压（VF）低等优点，但也存在泄漏电流大等缺点。东芝的SiC SBD使用改进的结构克服了这个缺点。
2021-09-01
JBS结构 泄漏电流 浪涌电流
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高速线缆仿真解决方案
随着5G时代的到来，高速线缆已经成为系统中必不可少的一部分。线缆的设计由原来的只是完成物理连接的目的，朝着高性能、高可靠性、小型化、多样化、高精度、低成本等方向发展。有没有什么办法可以快速建立线缆模型并评估线缆的信号质量？有没有一种可靠的方法，能够快速获取线缆与连接器对于整个系...
2021-09-01
高速线缆 仿真 解决方案
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