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可编程输入倍频法如何减少整数边界杂散
您曾设计过具有分数频率合成器的锁相环（PLL）吗？这种合成器在整数通道上看起来很棒，但在只稍微偏离这些整数通道的频率点上杂散就会变得高很多，是吧？如果是这样的话，您就已经遇到过整数边界杂散现象了 —— 该现象发生在载波的偏移距离等于到最近整数通道的距离时。
2022-02-08
可编程输入倍频法 整数边界杂散
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如何利用TI Designs来验证和加快设计过程
如果处理器和现场可编程门阵列FPGA全部由同样的电压供电运行，并且不需要排序和控制等特殊功能的话，会不会变的很简单呢？不幸的是，大多数处理器和FPGA需要不同的电源电压，启动/关断序列和不同类型的控制。
2022-02-08
TI Designs 处理器 现场可编程门阵列FPGA
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如何仿真转换器的数字输入／输出
对于SAR-ADC的仿真比较复杂。目前来看，还没有准确模拟整个器件的完整转换器模型。现有资源是一个仿真模拟输入引脚稳定性的模拟SPICE文件。有了它，用户就有了一款强大工具，使用户能够解决其中一个最关键、最棘手的转换器问题。
2022-02-08
仿真转换器 数字输入／输出
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关于相控阵三种波束成型架构的那些事儿~
本文对模拟、数字和混合波束成型架构的能效比进行了比较，并针对接收相控阵开发了这三种架构的功耗的详细方程模型。该模型清楚说明了各种器件对总功耗的贡献，以及功耗如何随阵列的各种参数而变化。对不同阵列架构的功耗/波束带宽积的比较表明，对于具有大量元件的毫米波相控阵，混合方法具有优势。
2022-02-08
相控阵 波束成型架构
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浅谈5G小基站中时钟及无源射频器件的应用
5G的高速率、低延时、海量连接已被大家熟知，5G将万物互联，实现AR交互、自动驾驶、智慧城市等应用场景是人们期盼已久的愿望。
2022-02-08
5G小基站 无源射频器件 应用
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基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解
追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管家族中的新成员。相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上...
2022-02-08
基本半导体 碳化硅肖特基二极管
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针对SiC串扰抑制方法的测试报告
近年来，以SiCMOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点，已成为高频、高温、高功率密度电力电子变换器的理想选择。然而随着SiC MOSFET开关速度加快，桥式电路受寄生参数影响加剧，串扰现象更加严重。由于SiC MOSFET 正向阈值电压与负向安全电压较小，串扰问...
2022-02-08
SiCMOSFET 串扰抑制
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