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使用大面积分析提升半导体制造的良率
设计规则检查 (DRC) 技术用于芯片设计，可确保以较高的良率制造出所需器件。设计规则通常根据所使用设备和工艺技术的限制和变异性制定。DRC可确保设计符合制造要求，且不会导致芯片故障或DRC违规。常见的DRC规则包括最小宽度和间隔要求、偏差检查以及其他规格，以避免在制造过程中出现短路、断路、...
2024-03-05
半导体制造 芯片
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你准备好迎接新兴汽车雷达卫星架构了吗？
随着全球新车安全评鉴协会的安全等级和法规对主动安全功能的要求日益严格，安全性已成为当今车辆的一项不可或缺的特性。全球汽车制造商不断增强其车辆内的高级驾驶辅助系统 (ADAS) 功能（包括自动紧急制动 (AEB)、自适应巡航控制 (ACC) 和高级车道居中），从而满足这些安全要求并致力于实现更高水平...
2024-03-05
汽车雷达 卫星架构
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SEMICON专题直播预告|一起聊聊半导体测试
2024年3月20日，全球最大规模半导体嘉年华——SEMICON China 2024将在上海新国际博览中心盛大启幕，作为半导体测试领域的领军企业，加速科技即将重装亮相此次盛会（N2馆N2327）。
2024-03-05
SEMICON
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如何帮助提高混合动力汽车/电动汽车电池断开系统的安全性和效率
对于混合动力汽车 (HEV) 和电动汽车 (EV)，电池管理系统 (BMS) 中的配电系统可为车辆的核心功能供电，还可提供安全断开高电压或高电流事件的机制。随着对更高电压、电流、效率和可靠性的需求持续增长，配电系统的两个核心组件（高压继电器和断开保险丝）面临越来越多的设计挑战。图 1 展示了高压继...
2024-03-04
电爆驱动器 接触器 汽车 电动汽车 电池
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大算力时代, 如何打破内存墙
近年来，人工智能应用正经历一轮快速的发展与普及，而以ChatGPT等先进的大模型技术在此过程中起到了关键作用。这些模型对计算能力的需求不断攀升，催生了AI芯片设计的不断革新，进入了大算力时代。
2024-03-04
大算力 内存
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轻松了解功率MOSFET的雪崩效应
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-03-04
功率MOSFET 雪崩效应
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CITE2024开展倒计时 等你来看大模型、芯片、机器人、智能驾驶……
近年来，国家陆续出台多项鼓励人工智能产业发展创新的相关政策，着重于系统性拓展人工智能的应用场景，引导行业经济高质量发展，包括统筹推进场景创新，加快信息基础设施建设，以及推动大数据、人工智能、信息化和智能制造等领域的深度融合，探索人工智能发展新模式新路径。随着生成式人工智能的迅...
2024-03-04
大模型 芯片 机器人 智能驾驶
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