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什么是dV/dt失效
如下图（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的电位差就越大，寄生双极晶体管越容易导通，从而越容易发生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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什么是雪崩失效
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击穿期间，与 MOSFET内部二极管电流呈反方向流动的电流称为“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效机理 雪崩击穿
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为什么要计算电容器寿命？
电解电容器和聚合物混合电容器具有多项优点，然而它们的使用寿命有限，用户需要借助算法来确定其寿命。
2022-09-22
计算 电容器 寿命
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在实时控制系统中使用传感器优化数据可靠性的3个技巧
实时控制是闭环系统在定义的时间窗口内收集数据、处理数据并更新系统的能力。作为文章“实时控制简介及其重要性”的续篇，本文将详细介绍实时控制系统的第一个功能块“检测（收集）数据”，并针对如何通过关注特定传感器参数来优化实时控制系统的数据捕获提供了三个技巧。
2022-09-22
实时控制 传感器 优化数据
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表面贴装的散热面积估算和注意事项
到目前为止，我们已经介绍过使用热阻和热特性参数来估算TJ的方法。本文将介绍在表面贴装应用中，如何估算散热面积以确保符合TJ max，以及与热相关的元器件布局注意事项。
2022-09-21
表面贴装 散热面积 估算
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![[技术浅谈] 认识三端保险丝](http://image.cntronics.com/static/images/29_副本_cRvdn5u.png "[技术浅谈] 认识三端保险丝")
[技术浅谈] 认识三端保险丝
三端保险丝是芯片式表贴安装产品，通常用于锂离子电池组作为二次保护，使其在遭受过流与过压风险时能够及时动作，有效减少锂离子电池因为过充、过放以及短路等故障导致的起火爆炸等情况，让电路与器件损坏控制在尽量小的区域。
2022-09-21
三端保险丝 Littelfuse
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【无电感】小尺寸 AMOLED 电源芯片
SGM38045 是圣邦微电子重点推出的一颗专门为智能手环、智能手表等小尺寸 AMOLED 显示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的无电感电源管理芯片。
2022-09-21
AMOLED 电源芯片
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