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氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
松下与英飞凌曾共同研发了增强型GaN GIT功率器件，两家公司都具有GaN GIT功率器件的产品。对于其栅极驱动IC，如上期所介绍的，英飞凌对其GaN EiceDRIVER™ IC已布局有核心专利；而松下在这一技术方向下也是申请了不少专利，其中就包括采用RC电路的负压关断方案。
2022-12-22
氮化镓 栅极驱动 RC负偏压关断技术
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简述SiC MOSFET短路保护时间
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路时间不超过这个SCWT，器件基本上是安全的（超大电流导致的寄生晶闸管开通latch up除外，本篇不讨论）。
2022-12-22
SiC MOSFET 短路保护时间
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双极性步进电机（上）：控制模式
步进电机具有独特的开环位置控制性能，这使它在智能时代广受欢迎。为确保步进电机在旋转时输出扭矩的平滑，需要考虑每个器件独特的需求。而电机旋转的稳定性则与其物理结构和控制模式密切相关。
2022-12-22
步进电机 结构 控制模式
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浅谈滤波器
随着现在人们对网络的速度需求的不断提升，手机网络也在不断的演进，由最初的2G到现在的5G，网络速度在不断的提升，由最初的手机只能用于通话到现在的智能社会，万物互联，给人们的生活带来了很大的便利，同时这些也给手机射频的设计带来了很多挑战，滤波器的选型就是其中一个，网络的不断演进导致...
2022-12-22
滤波器 工艺 参数
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如何为设计匹配最合适的气压传感器？这份“3483”选型法则请收好
意法半导体的气压传感器已经越来越多地被用于智能手机，平板电脑和可穿戴技术中，并为精准的高度位置监测以及预测性维护等新工业应用打开大门。那该如何根据设计需求选择合适的气压传感器？关注哪些具体参数？选品上需要考虑哪些技术细节？2022年最新的气压传感器组合有哪些？气压传感器又有什么新...
2022-12-22
气压传感器 选型 ST
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先进碳化硅技术，有效助力储能系统
人们普遍认识到，碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低...
2022-12-22
碳化硅 技术 储能系统
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使用控制器保护您的高边开关
在本设计解决方案中，我们回顾了在工厂环境中运行的执行器中使用的高边开关电路的一些具有挑战性的工作条件和常见故障机制。我们提出了一种控制器IC，该IC集成了各种安全功能，以监控电路运行，并在发生这些情况时采取适当措施防止损坏。
2022-12-21
控制器 高边开关
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