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如何优化以太网供电 (PoE) PD 设计
本文将综合描述 PoE PD 的设计，讨论系统设计人员面临的挑战，还将介绍如何利用 MP8017 （集成型 PoE PD 和反激式电源变换器）优化 PoE PD 的设计，并进行验证。
2022-12-23
以太网供电 PD
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二极管直流稳压、温度补偿、控制电路及故障处理
二极管除单向导电特性外，还有许多特性，很多的电路中并不是利用单向导电特性就能分析二极管所构成电路的工作原理，而需要掌握二极管更多的特性才能正确分析这些电路，例如二极管构成的简易直流稳压电路，二极管构成的温度补偿电路等。
2022-12-22
二极管 温度补偿 控制电路
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用于通信的高压升压和反相转换器
电子通信领域正在迅速扩展到日常生活的方方面面。数据的检测、传输和接收需要各种各样的器件，例如光学传感器、RF MEMS、PIN二极管、APD、激光二极管和高压DAC等。在许多情况下，这些器件需要数百伏才能工作，因此需要满足严格的效率、空间和成本要求的DC-DC转换器。
2022-12-22
通信 反相转换器 高压升压
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氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
松下与英飞凌曾共同研发了增强型GaN GIT功率器件，两家公司都具有GaN GIT功率器件的产品。对于其栅极驱动IC，如上期所介绍的，英飞凌对其GaN EiceDRIVER™ IC已布局有核心专利；而松下在这一技术方向下也是申请了不少专利，其中就包括采用RC电路的负压关断方案。
2022-12-22
氮化镓 栅极驱动 RC负偏压关断技术
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简述SiC MOSFET短路保护时间
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路时间不超过这个SCWT，器件基本上是安全的（超大电流导致的寄生晶闸管开通latch up除外，本篇不讨论）。
2022-12-22
SiC MOSFET 短路保护时间
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双极性步进电机（上）：控制模式
步进电机具有独特的开环位置控制性能，这使它在智能时代广受欢迎。为确保步进电机在旋转时输出扭矩的平滑，需要考虑每个器件独特的需求。而电机旋转的稳定性则与其物理结构和控制模式密切相关。
2022-12-22
步进电机 结构 控制模式
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浅谈滤波器
随着现在人们对网络的速度需求的不断提升，手机网络也在不断的演进，由最初的2G到现在的5G，网络速度在不断的提升，由最初的手机只能用于通话到现在的智能社会，万物互联，给人们的生活带来了很大的便利，同时这些也给手机射频的设计带来了很多挑战，滤波器的选型就是其中一个，网络的不断演进导致...
2022-12-22
滤波器 工艺 参数
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