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如何在48V系统中轻松应用GaN FET？
GaN FET可以应用在48V电源系统中，但由于缺乏配合GaN FET工作的合适控制器，工程师们常利用DSP数字解决方案来实现其高频和高效率设计。然而，DSP解决方案因为需要额外的IC而增加了复杂性和难度。本文介绍了一种兼容GaN FET的模拟控制器，它只需很少的器件，就可以让设计人员像使用硅FET一样简单地设...
2021-11-17
48V系统 GaN FET
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逆变直流电焊机的工作原理
逆变电焊机，主要是逆变器产生的逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。
2021-11-17
逆变直流电焊机
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干货 | 指定支持Wi-Fi®的MCU时的注意事项
工业物联网的发展趋势是在一个SoC而非多个离散器件中执行更多功能，以精简物料清单、降低设计风险、减少占用空间。Wi-Fi® MCU即是一个典型，它将Wi-Fi连接与处理器及所需GPIO集成在一起，以满足多种应用的需求。在指定其中一个器件时，需要考虑多个因素，并需审慎进行选择，因此务必对这些器件有所...
2021-11-17
Wi-Fi MCU
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Diodes 公司先进充电器解决方案获颁亚洲金选奖殊荣
Diodes 公司宣布其超高功率密度 (UHPD) 充电器解决方案于亚洲金选奖 (EE Awards Asia) 首获金选节能系统功率半导体供货商项目公司奖。其中的三芯片充电器解决方案最初是为了提高笔记本电脑适配器以及智能手机充电器等产品应用的性能而开发的。
2021-11-17
Diodes 先进充电器
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Atonarp宣布成立科技专家咨询委员会，以推动分子谱分析的发展进步
面向医疗和工业市场的数字分子谱分析仪器平台和软件应用程序开发商 Atonarp 今天宣布成立首个战略咨询委员会，其成员包括九位杰出的科技行业领军人物。该委员会将与 Atonarp 密切合作，以专业知识提供咨询指导，帮助Atonarp推进下一代分子传感和诊断产品的路线图。
2021-11-16
Atonarp 分子谱分析
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保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析
半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。
2021-11-16
保护器件 过电应力失效
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基于模型的GAN PA设计基础知识：GAN晶体管S参数、线性稳定性分析与电阻稳定性
在简单的线性射频/微波放大器设计中，一般利用s参数匹配使增益和增益平坦度最大。同样也会利用这些 S 参数数据来开发匹配网络，以解决放大器稳定性问题。本文讨论在设计氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA) 过程中，使用模型模拟基本的 S 参数和稳定性分析的重要性。文中介绍使用模型和电阻稳定性技术来帮...
2021-11-16
GAN晶体管 S参数 电阻稳定性
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