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稳压管的4种应用电路
稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是：此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
2021-11-29
稳压管 应用电路
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连接SPI接口器件 - 第二部分
单个时钟域SPI实现的思路与两个时钟域非常相似。这里为了便于演示没有使用PLL。同时，也不需要sync_stage模块。由于是单个时钟，需要clock_generator来生成dac_sck所需的时钟下降沿条件，dac_sck则用作状态机dac_fsm的触发条件。
2021-11-29
SPI接口器件
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连接SPI接口器件 - 第一部分
LEC2 Workbench系列技术博文主要关注莱迪思产品的应用开发问题。这些文章由莱迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA设计专家撰写。LEC2是专门针对莱迪思屡获殊荣的低功耗FPGA和解决方案集合的全球官方培训服务供应商。
2021-11-29
SPI接口器件
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MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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移动设备的 ESD 设计战略：您的 SEED 工具
我们在第 1 部分介绍了 ESD 的基本概念以及系统高效 ESD 设计 (SEED)。本博客将为您介绍 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分将介绍如何将 SEED 方法及建模和模拟一起用于优化系统级手机设计。
2021-11-29
移动设备 ESD 设计战略
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做好准备：关于 ESD 和 RF 设备您需要了解什么
静电放电 (ESD) 现象从一开始就存在。我们第一次接触 ESD 往往是在孩童时代，在干燥的冬日触碰金属门把手时，会有种触电的感觉——这就是静电放电。这种短暂的不适感通常对人类来说不是问题，但是即使是少量的 ESD 也有可能会损毁敏感电路。
2021-11-29
ESD RF设备
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重负载时中开关元件工作相关的注意事项
在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。
2021-11-29
重负载 开关元件 注意事项
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