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嵌入式系统常规电源设计

对于电池供电的便携设备而言，除了需要突破处理能力的限制外，便携式系统电源的性能也需要不断改进。本文探讨便携嵌入式系统电源设计的注意事项以及设计中应遵循的准则。这些原则对任何具有强大功能且必须以电池供电的便携嵌入式系统电源设计都是有帮助的。根据本文描述的构造模块，读者可以为特定...

2010-04-30

嵌入式电源设计架构模块

二极管+IGBT：新架构能带来什么新应用？

英飞凌新一代逆向导通型IGBT将二极管和IGBT集成在同一个晶片里面，节省空间而且非常便宜，同时它的性能也是相当的优越，175度的结温，EMI的效果非常好，应用在洗衣机、洗碗器、吸尘器、空调、冰箱的压缩机、伺服驱动、风扇。

2010-04-29

逆向导通型IGBT 英飞凌

派睿电子成为RECOM亚洲公司电源解决方案及产品的亚太区经销商

全球领先的多渠道、提供高品质服务的电子元器件分销商——派睿电子公司近日宣布成为RECOM亚洲有限公司的多渠道经销商。

2010-04-29

派睿电子 RECOM 电源亚太区

LED光源如何才能进入通用照明市场

低碳生活理念深入人心,LED光源备受青睐。苏州纳科显示技术有限公司董事长梁秉文发表了题为《LED光源如何才能进入通用照明市场》,对于LED光源技术与产品发展现状做了描述,对于LED光源性能、价格、和性价比与传统光源进行比较。指出尽管LED是新型光源,对于应用与传统市场和产品,几乎一定要经过传统的...

2010-04-29

LED 照明光源

IC Insight：2010功率晶体管市场达到新高

按IC Insight报道，在2009年下降16％之后，全球功率晶体管销售额在2010年有望增长31%，达到创记录的109,6亿美元。自从功率晶体管在2000年达到创记录的增长32%后，此次的31%的增长也是相当亮丽。

2010-04-29

IC Insight 功率晶体管混合电动车

IC Insight：2010功率晶体管市场达到新高

2010-04-29

IC Insight 功率晶体管混合电动车

IC Insight：2010功率晶体管市场达到新高

2010-04-29

IC Insight 功率晶体管混合电动车

Si8499DB：Vishay推出P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

2010-04-29

Si8499DB Vishay P沟道 TrenchFET MOSFET

半导体荧光灯原理简介

目前我们使用的白色LED的实质是半导体荧光灯，它的基本特性和普通荧光灯一致，它的性能指标远比我们的期望值要差许多，不可以将其神化，半导体荧光灯，应该走下神坛。LED和半导体荧光灯在概念上的混肴已经给我国的照明产业造成了巨大的损失，这种现象不能再继续下去了。真正白色LED还有漫长的路要走...

2010-04-29

半导体荧光灯 LED 无极荧光灯

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