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压电晶体：完成量的积累期待质的突破
在中国电子元件行业协会压电晶体分会和中国电子材料行业协会压电晶体材料分会成立20周年之际，我们回顾与思考压电晶体行业20年所走过的路，总结过去，筹划未来。
2008-12-19
电子元器件 压电晶体 家信息产业 国防军工 民用 石英晶体
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压电晶体：完成量的积累期待质的突破
在中国电子元件行业协会压电晶体分会和中国电子材料行业协会压电晶体材料分会成立20周年之际，我们回顾与思考压电晶体行业20年所走过的路，总结过去，筹划未来。
2008-12-19
电子元器件 压电晶体 家信息产业 国防军工 民用 石英晶体
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IRFBxxxxPBF：IR全新基准高电流MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
2008-12-19
HEXFET MOSFET 导通电阻 TO-220 D2PAK TO-262 电子元器件 分立器件 潘大伟
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IRFBxxxxPBF：IR全新基准高电流MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
2008-12-19
HEXFET MOSFET 导通电阻 TO-220 D2PAK TO-262 电子元器件 分立器件 潘大伟
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IRFBxxxxPBF：IR全新基准高电流MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
2008-12-19
HEXFET MOSFET 导通电阻 TO-220 D2PAK TO-262 电子元器件 分立器件 潘大伟
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ACT上市大容量锂离子电容器
日本电子和ACT上市锂离子电容器。目前已投产静电容量为5000F的“A5000”、2000F的“A2000”和1000F的“B1000”3款“Premlis”单元，以及配备有12个或10个A5000的“电容器电池”。
2008-12-19
A5000 A2000 B1000 锂离子电容器 电双层电容器 EDLC
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ACT上市大容量锂离子电容器
日本电子和ACT上市锂离子电容器。目前已投产静电容量为5000F的“A5000”、2000F的“A2000”和1000F的“B1000”3款“Premlis”单元，以及配备有12个或10个A5000的“电容器电池”。
2008-12-19
A5000 A2000 B1000 锂离子电容器 电双层电容器 EDLC
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ACT上市大容量锂离子电容器
日本电子和ACT上市锂离子电容器。目前已投产静电容量为5000F的“A5000”、2000F的“A2000”和1000F的“B1000”3款“Premlis”单元，以及配备有12个或10个A5000的“电容器电池”。
2008-12-19
A5000 A2000 B1000 锂离子电容器 电双层电容器 EDLC
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Vishay提供计算IHLP电感开关损失的在线工具
Vishay目前在其网站上提供了计算 IHLP® 电感器开关损失的基于 Web 的免费工具。这种易于使用的开关损失计算器可针对各个单独应用进行定制，从而使设计人员能够选择正确的部件以优化板设计，同时加速产品上市时间。该开关损失计算器可用于降压、升压及降压/升压直流到直流转换器拓扑结构。
2008-12-18
IHLP 电感器 在线工具 开关损失 转换器 拓扑结构 被动元件
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