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SuperMESH3系列： ST照明和开关电源应用功率MOSFET
意法半导体（ST）进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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SuperMESH3系列： ST照明和开关电源应用功率MOSFET
意法半导体（ST）进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8W 的额定功率、±4ppm/W （典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的 ∆R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
电阻 VPR221Z VPR221SZ
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8W 的额定功率、±4ppm/W （典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的 ∆R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
电阻 VPR221Z VPR221SZ
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我国遭美"337调查" LED企业上升至10家
2008年8月30日，我国又有6家LED企业即半导体照明企业，被控涉嫌专利侵权而将面临美国国际贸易委员会(U.S.ITC)的“337调查”。加上此前已有6家中国大陆LED企业被起诉且其中4家被列入ITC“337调查”名单，今年以来，我国已有12家LED企业遭遇海外知识产权纠纷(不包括我国台湾地区企业)。
2008-09-16
知识产权 LED Rothschild 337调查
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我国遭美"337调查" LED企业上升至10家
2008年8月30日，我国又有6家LED企业即半导体照明企业，被控涉嫌专利侵权而将面临美国国际贸易委员会(U.S.ITC)的“337调查”。加上此前已有6家中国大陆LED企业被起诉且其中4家被列入ITC“337调查”名单，今年以来，我国已有12家LED企业遭遇海外知识产权纠纷(不包括我国台湾地区企业)。
2008-09-16
知识产权 LED Rothschild 337调查
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我国遭美"337调查" LED企业上升至10家
2008年8月30日，我国又有6家LED企业即半导体照明企业，被控涉嫌专利侵权而将面临美国国际贸易委员会(U.S.ITC)的“337调查”。加上此前已有6家中国大陆LED企业被起诉且其中4家被列入ITC“337调查”名单，今年以来，我国已有12家LED企业遭遇海外知识产权纠纷(不包括我国台湾地区企业)。
2008-09-16
知识产权 LED Rothschild 337调查
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LY530AL：ST超小型GPS应用MEMS陀螺仪
通过提供可选的模拟或数字角速率绝对值输出，意法半导体推出LY530AL MEMS陀螺仪，提高设计灵活性，简化集成难度，并节省外部元器件。全程量可测角速率高达每秒+/-300度，在直观人机界面或增强型汽车导航GPS等应用中，意法半导体的全新陀螺仪可测量快速角位移。
2008-09-12
LY530AL MEMS陀螺仪
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中能打破多晶硅技术垄断 成中国硅料第一股
纽约证券交易所前不久突然发布了一则令全球光伏行业为之震动的消息，总部位于香港的太阳能硅芯片供应商协鑫硅业(GCL)已向美国证券交易委员会(SEC)递交了IPO 申请，而这家公司的业务主体正是江苏中能。
2008-09-11
多晶硅
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