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响应时间不大于25nS，单体突波耐电流能力达70KA的MOV

君耀压敏电阻符合多项检验标准，并提供丰富的产品系列以供选型。该系列产品具有快速的响应速度，响应时间≤25nS，突波耐电流能力从几百安培到几十千安培不等，单体最大可达 70KA。

2013-01-24

君耀 MOV 压敏电阻

超薄插拔式Micro SIM卡连接器，高度仅为1.24毫米

TE近日发布了一款超薄插拔式Micro SIM卡连接器。这款先进的硬件解决方案可以在提高效率的同时降低终端产品的成本和尺寸。较上一代插拔式Mini SIM卡连接器，TE这款新产品可额外节省35%的PCB（印刷电路板）空间，并具有更小的外形尺寸，从而为终端设备的尺寸设计和应用带来了更大的灵活性。

2013-01-24

连接器插拔式 TE

超薄插拔式Micro SIM卡连接器，高度仅为1.24毫米

2013-01-24

连接器插拔式 TE

可用于智能手机的新款超小型功率MOSFET

国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。

2013-01-24

智能手机 MOSFET 平板电脑

可用于智能手机的新款超小型功率MOSFET

2013-01-24

智能手机 MOSFET 平板电脑

可用于智能手机的新款超小型功率MOSFET

2013-01-24

智能手机 MOSFET 平板电脑

新型功率MOSFET系列，将DC-DC 开关应用效率提升2%

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技术，可为 12V 输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。

2013-01-24

MOSFET 硅技术最佳效率

新型功率MOSFET系列，将DC-DC 开关应用效率提升2%

2013-01-24

MOSFET 硅技术最佳效率

新型功率MOSFET系列，将DC-DC 开关应用效率提升2%

2013-01-24

MOSFET 硅技术最佳效率

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可用于智能手机的新款超小型功率MOSFET

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