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能源电力

负载开关的发展概况

功率MOSFET是一种具有良好开关特性的器件：导通时其导通电阻RDS(ON)很小；在关断时其漏电流IDSS很小。另外，它的耐压范围很宽，从几十V到几百V，漏极电源范围宽，从几A到几十A，所以非常适合作负载开关。

2009-09-24

负载开关 MOSFET

未来五年数字电源市场增长45.3%

iSuppli公司的最新预测显示，未来五年数字电源市场的年复合增长率(CAGR)为45.3%。增长最快的领域预计将是高端服务器、数据通信和电信市场，预计笔记本电脑和显卡等低端计算市场将随后加快增长。

2009-09-23

数字电源 CAGR 高端服务器 PID

电子元器件行业延续回暖趋势

从相关统计数据来看，电子元器件产品的出口从2月份起就步入环比增长轨道;二季度行业内上市公司营业收入和业绩环比均出现显著改善。分析师认为，尽管过程或有波动，但电子元器件行业恢复性增长大趋势不改。

2009-09-23

电子元器件下滑回暖

Linear发布45V高压端电流感测DC/DC转换器

针对汽车和工业照明等应用，凌力尔特（Linear Technology）发表45V、高压端电流感测DC/DC转换器LT3519。

2009-09-23

LED驱动软启动高电流

UCD90120：一款排序与系统健康监控器（TI）

日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款排序与系统健康监控器，该产品具有电源裕度调节与综合非易失性错误日志功能，可帮助客户诊断系统中的电源故障。UCD90120 集成 12 个排序轨，并具有针对多达 13 个通道进行电压、电流或温度监控以及 10 个通道电源裕度调节等功能，从而可大幅缩减板级空间。

2009-09-23

UCD90120 TI 监控器

双晶体管正激有源钳位软开关电源的设计

目前很多厂商从300W～1200W的范围都有使用，同时可以满足80PLUS的要求，但是目前要作到85PLUS就很难，不进行一些技术变更几乎不可能。基于目前的情况，本文介绍一种利用有源钳位技术在双晶体管正激上实现软开关的设计方法，并给出实际的设计案例及实验结果。

2009-09-21

双晶体管开关电源有源钳位技术

VHP100：Vishay超高精度气密Bulk Metal箔电阻

日前，Vishay宣布，推出新型密封的超高精度Bulk Metal箔电阻 --- VHP100，借由该器件的低电阻温度系数，Vishay引入了新的窗口概念。根据窗口定义，在特定温度范围内，绝对电阻保持在规定的窗口内。

2009-09-21

VHP100 Vishay 电阻

高压电容器充电

设计一个高达kV的高压电容器充电器或电源不是一件小事。采用通用反激式 PWM 控制器的分立式解决方案需要光耦合器，还要具备监视、状态指示和保护功能，这就要很多电路，增加了设计复杂性。尤为重要的是要避免输入过流，这种情况在发生在接通时会被误认为是短路的容性负载所引发。还必需确保该类型...

2009-09-18

高压电容 MOSFET

射频测试的趋势

本文主要讲述通信基数的趋势和频谱发展的趋势

2009-09-18

频谱通信技术测试

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