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能源电力

GS汤浅将新建锂电池工厂并“计划2012年春季正式投产”

日本GS汤浅（GS Yuasa）宣布，将在滋贺县栗东市建设锂离子充电电池工厂。该公司已于2009年11月16日为获得土地而与栗东市开始交涉。该公司公关部介绍说，计划2010年10月开工建设，“2012年春季正式投产”。

2009-11-26

GS汤浅锂电池工厂正式投产 2012

三年后我国半导体市场全球最牛将赶超美国

毕马威合伙人加利·马图萨克表示：“中国作为终端用户市场，将变得越来越重要。”他表示，传统上中国是制造业大国，不是消费大国，但他预计，三年后中国市场将高出美国市场近1倍。

2009-11-26

毕马威半导体市场全球最牛赶超美国

群创、奇美与统宝通过三合一合并方案

据台湾媒体报道，全球第二大电脑显示器制造商群创光电上周五傍晚发布重大消息称，该公司近日与奇美电子及统宝光电同步召开临时董事会，通过三合一合并案。三家公司预计明年元月6日召开股东临时会通过合并案，三合一合并基准日为明年4月30日。

2009-11-26

群创奇美统宝合并方案

IMEC开发的硅纳米线太阳能电池使转换效率达30％以上

在太阳能电池领域，瞄准下下代太阳能电池的各种构想不断涌现。其中一种设想是在底板上排列细线状的硅（硅纳米线）。包括美国通用电气（General Electric）在内，目前世界各地都在进行开发。

2009-11-25

IMEC 太阳能电池硅纳米线 EUV曝光

最先进液晶面板线项目启动投资逾200亿

总投资达二百四十五亿元的深圳市第八点五代薄膜晶体管液晶显示器件生产线项目，十六日在深圳高交会上宣布正式启动，标志着中国主要依靠自主创新建设、中国内地迄今最高世代液晶面板生产线项目落户深圳。

2009-11-25

液晶面板线最先进 TFT-LCD

FDFMA2P859T:飞兆半导体推出行业领先的薄型封装MOSFET

飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiple...

2009-11-25

飞兆半导体 MicroFET 薄型封装 Farichild MOSFET

中国电子报：今年第三季度是半导体业拐点

近日，企业第三季度财报纷纷出笼，产业好转趋势进一步明朗化。但由于企业上升动力不足，产业出现“V型”反弹的可能性不大，应该会在振荡中上升。

2009-11-25

第三季度半导体业拐点中国电子报

Vishay扩展其超高可靠性贴片电阻的阻值范围

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩大了符合美军标MIL-PRF-55342认证的E/H薄膜贴片电阻的阻值范围，推出增强型E/H贴片电阻。该系列电阻采用紧凑的2208、2010和2512外形尺寸。增强后的器件使高可靠性应用能够用上更低阻值的电阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值为49.9Ω，容差为0.1%，10Ω电阻的容差...

2009-11-25

Vishay 扩展可靠性贴片电阻范围

中国在未来三年将成为拉动半导体行业增长的主要力量

毕马威会计师事务所(KPMG)一项对半导体商高层的最新调查显示，未来三年中国将成为该产业营收增长最重要的市场，其後是美国。

2009-11-24

半导体半导体产业

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中国在未来三年将成为拉动半导体行业增长的主要力量

友情链接(QQ：317243736)

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