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电源管理

破局电动车续航！罗姆第4代SiC MOSFET驱动助力丰田bZ5性能跃迁

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。

2025-06-24

罗姆丰田bZ5 电驱技术第四代SiC MOSFET 车规级碳化硅模块电动车牵引逆变器

罗姆助力英伟达800V HVDC重塑AI数据中心能源架构

随着人工智能算力需求爆发性增长的浪潮下，支撑其运行的底层能源架构正经历颠覆性升级。罗姆（ROHM）以其先进的功率半导体技术，成为英伟达（NVIDIA）全新800V高压直流（HVDC）数据中心供电架构的核心方案提供者。这一合作聚焦于提升兆瓦级AI工厂的能量转换效率与功率密度，为下一代超大规模计算...

2025-06-23

罗姆英伟达 800V HVDC NVIDIA 800V 电源方案 AI数据中心电源

高压BMS：电池储能系统的安全守护者与寿命延长引擎

在能源转型的浪潮中，电池储能系统（BESS）已成为住宅、商业、工业和电网级应用的核心基础设施。而高达数百伏甚至上千伏的高压电池系统，因其能量密度高、系统效率高、电流损耗小的优势，正成为大规模储能的主流选择。然而，高压意味着高风险，也对电池管理提出了前所未有的挑战。高压电池管理系统...

2025-06-20

高压BMS 电池管理系统电池储能系统电池安全电池健康状态SOH

破解工业电池充电器难题：升压or图腾柱？SiC PFC拓扑选择策略

工业设备电动化浪潮下，电池充电器面临严苛挑战：需兼容120-480V宽压输入，在震动/粉尘/温变等恶劣条件下实现高效供电，同时满足尺寸重量极限压缩与无风扇散热需求。本文聚焦PFC级核心设计，对比升压与图腾柱拓扑的实战优劣，解析SiC MOSFET如何重构工业充电器性能边界。

2025-06-19

工业电池充电器 PFC拓扑对比升压PFC 图腾柱PFC SiC MOSFET应用

高频时代的电源革命：GaN技术如何颠覆传统开关电源架构？

在电力电子系统对能效和功率密度要求日益严苛的背景下，氮化镓（GaN）技术已成为推动开关模式电源（SMPS）发展的核心动力。相较于传统硅基器件，GaN凭借其3.4eV的宽禁带特性、更高的电子迁移率（990-2000 cm²/V·s）及更低的导通电阻（R_DS(ON)），可将开关频率提升至兆赫级，同时减少30%...

2025-06-09

电力电子系统氮化镓 GaN 开关模式电源

薄膜电容在新能源领域的未来发展趋势：技术革新与市场机遇

随着全球能源转型加速，新能源产业（光伏、风电、储能、电动汽车等）的爆发式增长，对薄膜电容的需求持续攀升。薄膜电容凭借其高耐压、低损耗、长寿命等特性，成为新能源设备中不可或缺的核心元件。未来，其发展将围绕材料创新、高功率密度设计、智能化集成等方向展开，同时面临成本优化与环保升级...

2025-06-05

薄膜电容

Spectrum仪器推出带宽高达3.9 GHz的全新旗舰任意波形发生器

Spectrum仪器公司今日宣布推出四款高性能任意波形发生器（AWG），这也成为了公司发展的重要里程碑。新产品的输出速率高达10GS/s，垂直分辨率为16位，带宽最高更是可达3.9GHz，为射频（RF）与微波信号生成提供了可靠的保障。

2025-06-04

Spectrum仪器

英飞凌推出全新紧凑型CoolSET封装系统（SiP）

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSET™封装系统（SiP）。这款紧凑的全集成式系统功率控制器可在85 - 305 VAC通用输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出。

2025-06-03

英飞凌

从光伏到充电桩，线绕电阻破解新能源设备浪涌防护难题

线绕电阻凭借高可靠性、耐脉冲电流及宽温域性能，成为新能源与交通领域关键电子元件。在光伏逆变器中限制直流侧电容充电电流，于风电变流器Crowbar电路吸收电网故障能量，为电动汽车BMS提供±0.1%精度的四线制电流检测，并在快充桩中实现紧急泄放储能。其抗震设计（10G加速度）、10万小时寿命及-55℃~...

2025-05-22

线绕电阻新能源设备交通能源系统

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