电源管理-技术中心-电子元件技术网

电源管理

紧抓需求，强势突围！第21届中国国际机电产品博览会将于11月在武汉启幕！

作为国务院批准的国家三大机电展之一，第21届中国国际机电产品博览会（简称：机博会）将于2020年11月17-20日在武汉国际博览中心盛大开幕，参观预登记入口现已开启！

2020-08-07

机电产品工业自动化

一文掌握 GaN 器件的直接驱动配置！

在设计开关模式电源时，主要品质因数（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]这三个FOM是耦合型，需要考虑诸多因素。例如，增加开关频率可减小磁性元件的尺寸和成本，但会增加磁性元件的损耗和功率器件中的开关损耗。由于GaN的寄生电容低且没有二极管反向恢复，因此与MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有显著...

2020-08-07

GaN器件开关模式降低损耗

功能丰富的系统需要采用灵活、可配置的20V大电流PMIC

随着技术不断进步，所有电子系统中包含的功能内容数量不断增多，可用空间却在不断减少。手机有触摸屏、手电筒、省电模式和精巧的摄像头。以前汽车仪表盘上只有基本的AM收音机和少量简易的仪表，现在却装满了精密的仪器仪表、卫星收音机、蓝牙®、GPS和其他基于手机的网络连接、多彩车灯以及无数的USB...

2020-08-07

系统灵活大电流PMIC

阻碍电源设计成功的因素有哪些？

PCB设计能“一次成功”已成为电子行业最强烈的诉求。以电源产品为例，PCB设计会直接影响电源的EMC性能、输出噪声、抗干扰能力，甚至是基本功能。更为重要的是，PCB设计成功与否直接影响着产品的上市时间。

2020-08-06

电源设计

GaN将能源效率推升至新高度！

劳伦斯伯克利国家实验室(Lawrence Berkeley National Laboratory)[1]在2016年所做的一项研究表明，2020年美国数据中心将要消耗的能源预计会达到730亿千瓦时——这是一个天文数字。只要我们对计算密集型数据服务的需求不断增加，那么，在更小的空间内提供更多能量以尽可能高效地运行这些中心，就会是必...

2020-08-06

GaN 能源效率

LDO在IoT中省电的两种方法

随着物联网 (IoT) 不断占领于我们的住宅和办公场所，我们会发现越来越多的电器和系统集成了电子元器件，而且我们能够在世界上的任何一个角落访问这些电器和系统。不过，由于有如此之多的设备被连接到我们的住宅和办公室，我们消耗了难以计数的待机电能。我们怎样才能使恒温器、大门、门铃、安防系统...

2020-08-06

LDO IoT 省电方法

如何设计一款安静且紧凑的工业用电源

工业用电源设计工程师们面临着众多供电挑战；其中一个主要难题就是输入电压范围的大幅变化。其中的原因有很多，其中就包括设计对远距离的支持。例如，工厂会有一条在整个建筑内进行传输的主电压轨。由于阻抗、以及感应电压和连接至电源不同位置的设备所导致的噪声，或者大型电感和电容元件所引起的...

2020-08-06

工业用电源噪声重度负载

不加组件也不涨尺寸，教你如何改善你的无线充电器！

小尺寸可穿戴设备越来越多地采用无线充电，因为这样无需使用充电线，在设备上也无需配备外露式接口。对于充电电流小于10 mA的应用，由于功耗很低，因此无需在无线充电器接收器和发射器之间实施闭环控制。

2020-08-05

无线充电器可穿戴设备

可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世

东京——东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）今日宣布了一种可提高碳化硅（SiC）MOSFET[1]可靠性的新器件结构问世。相较于东芝的典型器件结构，MOSFET内嵌的肖特基势垒二极管[2]（SBD）可在抑制导通电阻增大的同时，将器件结构的可靠性提高10倍以上[3]。

2020-08-05

碳化硅 MOSFET 可靠性东芝新器件结构

首页上一页 247 248 249 250 251 252 253 254 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

紧抓需求，强势突围！第21届中国国际机电产品博览会将于11月在武汉启幕！

一文掌握 GaN 器件的直接驱动配置！

功能丰富的系统需要采用灵活、可配置的20V大电流PMIC

阻碍电源设计成功的因素有哪些？

GaN将能源效率推升至新高度！

LDO在IoT中省电的两种方法

如何设计一款安静且紧凑的工业用电源

不加组件也不涨尺寸，教你如何改善你的无线充电器！

可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世

友情链接(QQ：317243736)