测试测量-技术中心-电子元件技术网

测试测量

国家将收紧多晶硅项目再融资

国家发改委产业协调司司长陈斌10月15日表示，为了引导多晶硅产业健康发展，避免产业过度竞争，促进节能减排，国家将多晶硅产业列为产能过剩的行业，将控制多晶硅项目的再融资。而最近，中国证监会也向国家发改委移交了部分关于企业融资的审查权，以控制多晶硅等企业的再融资

2009-10-27

国家发改委多晶硅再融资

振兴规划作用，推动电子信息产业走出低谷

伴随着“家电下乡”，“汽车下乡”、调整出口退税税率等政策相继实施，振兴规划对电子信息产业的提振效应开始显现。赛迪顾问研究数据显示，从2009年4月起，电子信息产业经济运行开始出现企稳迹象，主营收入降幅趋缓，并逐渐开始走出低谷。

2009-10-27

电子信息通信元器件

扬智科技携M7108系列在深圳成立中国大陆区总部

扬智科技于深圳成立中国大陆区总部，力拓全新多媒体生活，深耕中国大陆市场，丰富消费电子应用。

2009-10-26

IC 扬智科技机顶盒 M7108系列

电源变换器中电流/电压模式相互转化分析

本文先简单的介绍了电流模式和电压模式的工作原理和这两种工作模式它们各自的优缺点；然后探讨了理想的电压模式利用输出电容ESR取样加入平均电流模式和通过输入电压前馈加入电流模式的工作过程。也讨论了电流模式在输出轻载或无负载时，在使用大的电感或在占比大于0.5加入斜坡补偿后，系统会从电流...

2009-10-26

变换器电流/电压模式转化

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。开关过程中，功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时，功率MOSFET漏极的电流和...

2009-10-26

MOSFET 关断区恒流区可变电阻区

理解功率MOSFET的开关损耗

本文先分别介绍了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相对应的Qg，Qds和Qgs在开关过程中对开关损耗的影响。基于在理想状态下，用工程简化方式计算出MOSFET在开关过程中不同阶段的开关损耗，并分析出Crss及相对应的Qgd对于MOSFET管的开关损耗起主导作用。然后，论述了在实际状态下，Coss对开通和关断过程...

2009-10-26

米勒电容开关损耗零电压开关

基于MOSFET内部结构设计优化的驱动电路

功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关电源，马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中，电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注，尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计，导致在实际的应用中，MOSFET产生一定...

2009-10-26

MOSFET 驱动电路

带有内置ESD保护的MOSFET

CMLDM7003是一种双通道N沟道的增强模式MOSFET，带有内置的2kV ESD保护。它带有两个独立的50V，280mA的MOSFET，在每个器件的源极和栅极之间带有瞬变电压抑制栅。该器件的导通电阻RDS(on)在50mA，1.8V时是3.0欧姆

2009-10-26

CMLDM7003 MOSFET ESD保护

3390:HIOKI最新功率分析仪

从地球环境保护的角度来看的话，和功率测量相关的需求及期待越来越大。太阳能发电和电动车（EV）的推广、以及智慧型电网的构想等措施都将促进功率计的性能和功能的发展。本文特别将EV用马达和变频器的功率测量为例，通过日置电机针对支持高效控制系统的研发而开发的“功率分析仪3390”，来介绍近期功...

2009-10-26

HIOKI 功率分析仪 3390

首页上一页 1203 1204 1205 1206 1207 1208 1209 1210 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

国家将收紧多晶硅项目再融资

振兴规划作用，推动电子信息产业走出低谷

扬智科技携M7108系列在深圳成立中国大陆区总部

电源变换器中电流/电压模式相互转化分析

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

理解功率MOSFET的开关损耗

基于MOSFET内部结构设计优化的驱动电路

带有内置ESD保护的MOSFET

3390:HIOKI最新功率分析仪

友情链接(QQ：317243736)