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关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响

本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应，指栅偏压变化时，阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中，电荷的短期俘获和释放引起的。因此，关断时的栅极电压欠冲会对碳化硅（SiC）MOSFET的开关特性产生影响。

2022-09-20

栅极电压欠冲 SiC MOSFET 导通

打破电动汽车“里程焦虑”，主驱能效如何升级？

因续航能力有限而导致的“里程焦虑”是许多消费者采用电动车的一个障碍。增加电池密度和提高能量转换过程的效率是延长车辆续航能力以缓解这种焦虑的关键。能效至关重要的一个关键领域是主驱逆变器，它将直流电池电压转换为所需的交流驱动，以为电机供电。

2022-09-19

电动汽车主驱能效

自动驾驶汽车的未来趋势：集中式传感器融合

现如今，大多数自动驾驶汽车都依靠传感器融合，即将毫米波雷达、激光雷达和摄像头的多传感器数据以一定的准则进行分析和综合来收集环境信息。正如自动驾驶汽车行业巨头们所证明的那样，多传感器融合提高了自动驾驶汽车系统的性能，让车辆出行更安全。

2022-09-19

自动驾驶趋势传感器

瑞萨电子发布全新Resolver 4.0目录，提供80款市场成熟的电感式位置传感器设计

2022 年 9 月 15 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出面向汽车和工业电机领域创新电感式位置传感器的全新Resolver 4.0参考设计目录。借助该目录，工程师们现可拥有80款基于IPS2电机换向传感器的即时设计资源，每款参考设计都针对独特的电机轴或极对配置...

2022-09-16

瑞萨电子电感式位置传感器

电源噪声对高速DAC相位噪声影响有多大？如何消除它？

在所有器件特性中，噪声可能是一个特别具有挑战性、难以掌握的设计课题。本文主要介绍电源噪声对于高速DAC相位噪声的影响。

2022-09-16

电源噪声高速DAC 相位噪声

安森美获蔚来“守望奖”

中国上海—2022年9月13日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在蔚来于2022年7月30日举行的合作伙伴大会上获其授予“守望奖”。作为蔚来体系中值得信赖的关键技术供应商，安森美通过多种渠道确保对蔚来的供货支持，包括专职负责顺利生产和交付流程的小组。

2022-09-14

安森美蔚来 SiC模块

深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为

本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素，包括器件特性、工作条件和外部电路；解释了开关损耗的主要影响因素，并确定了影响器件行为和使用的重要因素，这些因素可以显著提升SiC MOSFET在功率电路中的开关性能。

2022-09-13

SiC MOSFET 开关

巧用LC滤波器额，改善高速DAC电源相位噪声！

对于高速DAC供电电源的选择，LDO是久经考验的稳压器，尤其适合用来实现优质噪声性能。相关技术资讯，可参阅文章：选择超低噪声的LDO来改善相位噪声。

2022-09-13

LC滤波器 DAC 相位噪声

如何为无线状态监控系统选择最佳MEMS传感器（上篇）

如今MEMS加速度计性能快速提升，拥有更低功耗、更小尺寸、更高集成度、更宽带宽以及低于100µg/√Hz的噪声水平等，并可基于无线解决方案代替有线系统，以小巧轻便的三轴模拟器件取代单轴笨重的压电传感器，让经济高效地连续监控暴增的机器设备成为可能。对于维护和设施工程师而言，这意味着可通过全新...

2022-09-13

无线状态监控 MEMS传感器

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