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漏极和源极之间产生的浪涌
开关导通时，线路和电路板版图的电感之中会直接积蓄电能（电流能量）。当该能量与开关器件的寄生电容发生谐振时，就会在漏极和源极之间产生浪涌。下面将利用图1来说明发生浪涌时的振铃电流的路径。这是一个桥式结构，在High Side（以下简称HS）和Low Side（以下简称LS）之间连接了一个开关器件，该...
2023-07-27
漏极 源极 浪涌
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介绍一款适用于汽车和工业场合的高效同步SEPIC控制器
LT8711是一款直流-直流控制器，支持同步降压、升压、SEPIC、ZETA和非同步降压-升压等拓扑。ADI有多款同步降压、升压变换器和控制器，但支持同步SEPIC拓扑的并不多。SEPIC拓扑其实非常实用，因为无论输入电压远低于或远高于输出电压，它都能提供稳定的电平输出。
2023-07-27
汽车 工业 SEPIC控制器
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奥飞声学刘端：回皖创业，用创新推动MEMS市场
随着城市发展、工业进步和生活水平的提升，智能传感器的市场正在高速增长，尤其以半导体微纳工艺制造的MEMS传感器，得到了广泛的应用。我们身边的手机、汽车、智能家电等，都使用了大量的MEMS传感器。近年来，MEMS传感器保持高速增长，广泛的应用产生了巨大的市场。
2023-07-27
奥飞声学 MEMS
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辅助驾驶毫米波雷达信号处理流程详解
毫米波雷达大规模用于汽车辅助驾驶的传感器，由于受气象变化、可见光强弱影响较小，测距较精准，可以和摄像头取长补短，共同实现可靠的AEB功能。2018年版C-NCAP加入了主动安全配置(AEB)性能测试要求，而2021年版C-NCAP调高了主动安全部分权重【1】。交通运输部发布了《营运车辆自动紧急制动系统性能...
2023-07-26
辅助驾驶毫 米波雷达 信号处理
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用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件...
2023-07-26
SiC MOSFET 隔离栅极驱动器
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全集成汽车USB Type-A和USB Type-C充电器控制芯片
汽车中控系统通常都会提供一个 USB 充电端口，该端口需要在传输数据的同时为移动设备充电。对这些系统而言，选择带 USB 限流开关的汽车级 IC 非常重要。本文将介绍 MPS 的 USB 充电端口降压变换器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何将其高效率的优势应用于 USB 集线器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 应用中。
2023-07-25
USB Type-C 充电器 控制芯片
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借助更多的选项响应正反馈
负反馈什么时候会变成正反馈？当控制工程师想要实现不错的增益和相位裕度时。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何为设计人员提供理想性能和多种器件选择，同时支持更高的设计灵活性，从而实现成本效益最优的功率设计。
2023-07-24
SiC FET 正反馈
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华润微总裁李虹：中国半导体市场下滑趋势有到底迹象！
6月17日，在广州南沙召开的第二届中国•南沙国际集成电路产业论坛（2023 IC NANSHA）上，国内IDM大厂华润微（SH688396）总裁李虹在演讲中表示，中国半导体市场规模在过去的一年当中，增速弱于全球，呈现周期性衰退，但下滑趋势有到底迹象。
2023-07-24
华润微 中国半导体 市场下滑
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工程师必须知道的大电流单通道栅极驱动器设计技巧
NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。其特性包括：互补输入（IN+ 和 IN-），开漏故障（1686908889869977.png）和就绪 (RDY) 输出，复位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去饱和保护 (DESAT)，去饱和...
2023-07-21
栅极驱动器 设计技巧
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- 不同拓扑结构中使用氮化镓技术时面临的挑战有何差异？
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