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西部电子论坛吸引国际巨头汇聚蓉城
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2009-08-03
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2009-08-03
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西部电子论坛
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2009-08-03
西部电子论坛
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2009-08-03
西部电子论坛吸引国际巨头汇聚蓉城
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新能源规定迫使液晶电视设计变革
据iSuppli 公司，美国国家环境保护局(EPA)新颁布的指导原则要求部分电视的能耗在2013 年以前最多降低三分之二，促使液晶电视供应链对其产品与元件进行一系列改动。
2009-08-03
液晶电视 新能源
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探中国三四级消费市场的商机
位于金字塔尖的富裕阶层和金字塔中间的中产阶层市场正在被越来越多的企业和商家挖掘，竞争变得越来越激烈
2009-08-03
电子 市场 消费与竞争
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ACT2100系列：卓锐微新型MEMS加速度传感器
日前，北京卓锐微技术有限公司（Acuti Microsystems Co., Ltd.）推出ACT2100系列高精度MEMS加速度传感器。该系列加速度传感器采用先进的SOI体硅工艺制造，并基于卓锐微技术第二代Cery2000高精度MEMS加速度传感器专用接口芯片进行信号调理。其应用领域包括地震勘探和钻探、惯性导航和制导、振动测量...
2009-08-03
ACT2100 卓锐微 MEMS 加速度传感器
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Vishay推出三款采用不同封装的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
2009-08-03
SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C MOSFET 分立器件 Vishay
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Vishay推出三款采用不同封装的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
2009-08-03
SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C MOSFET 分立器件 Vishay
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