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如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。
2022-06-15
SiC MOSFET 门极电压
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适合工业应用的鲁棒SPI/I2C通信
对于控制器和外设之间的短距离电路板内连接，串行外设接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事实上的通信标准。由于存在广泛的硬件和软件支持，SPI和I2C已被传感器、执行器和数据转换器制造商广泛采用。当控制器和外设位于同一电路板上、共享同一接地层且相距不远（不大于1米）时...
2022-06-14
工业应用 SPI ADI
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手机无线充电器坏了
对于手边的一款外部引线断裂的苹果手机无线充电器进行拆卸，观察其内部电路工艺设计。但是由于电路上主要芯片型号文字显示不清，故此对于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手机 无线充电器
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电解电容
在博文 基于光耦的LED振荡电路[1] 介绍了一款基于光耦的多谐振荡电路，对于光耦前向耦合电流增益的特性进行了讨论。博文分别被公众号 TSINGHUAZHUOQING[2] 与 电子工程专辑[3] 转载。
2022-06-14
电解电容 光耦 振荡电路
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电解电容
在博文 基于光耦的LED振荡电路[1] 介绍了一款基于光耦的多谐振荡电路，对于光耦前向耦合电流增益的特性进行了讨论。博文分别被公众号 TSINGHUAZHUOQING[2] 与 电子工程专辑[3] 转载。
2022-06-14
电解电容 光耦 振荡电路
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电解电容
在博文 基于光耦的LED振荡电路[1] 介绍了一款基于光耦的多谐振荡电路，对于光耦前向耦合电流增益的特性进行了讨论。博文分别被公众号 TSINGHUAZHUOQING[2] 与 电子工程专辑[3] 转载。
2022-06-14
电解电容 光耦 振荡电路
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功率半导体冷知识：功率器件的功率密度
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。我们一路追求单位芯片面积的输出电流能力，实现方法是：
2022-06-13
功率器件 功率密度
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25kW SiC直流快充设计指南(第五部分)：控制算法、调制方案和反馈
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我们从硬件角度分享并广泛介绍了25 kW电动汽车充电桩的开发。图1代表到目前为止所讨论的系统。
2022-06-13
直流快充 设计指南 控制算法
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贸泽电子荣获知名互连厂商Hirose颁发的年度分销商大奖
2022年6月10日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布荣获创新连接器解决方案知名设计和制造商Hirose Electric USA颁发的2021年度分销商大奖。这个年度分销商奖旨在表彰在销售额和增长率，以及客户服务和满意度方面表现突出的分销商。
2022-06-10
贸泽电子 Hirose 连接器
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