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手机充电器有望不再标配:年废弃过亿污染大
买手机送充电器，这早已成为通信行业约定俗成的规矩。可每当换新手机时，旧的手机充电器也就随之废弃，不仅浪费资源而且处理不当还会变成电子垃圾污染环境。今年初，工信部明确了手机充电器三段式接口标准。昨日，工信部泰尔实验室主任何桂立透露，这一标准未来有望被写入手机入网许可的相关政策，...
2010-05-12
手机充电器 标配 年废弃
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LED背照灯液晶电视已成大趋势 下一个发展趋势是什么
日本Techno System Research的林秀介在举行的“第7届TSR研讨会2010”上，介绍了高速增长的LED背照灯液晶电视的下一个发展趋势。本文将介绍LED背照灯液晶面板技术。
2010-05-12
LED 液晶电视
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安森美半导体荣获龙旗控股颁发 “优秀供应商”奖
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ONNN )宣布荣获全球领先的无线通讯技术产品和服务提供商龙旗控股(简称“龙旗”)颁发的“2009年度优秀供应商”奖。
2010-05-12
安森美 龙旗 绿色电子产品 “优秀供应商”奖
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安森美半导体荣获龙旗控股颁发 “优秀供应商”奖
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ONNN )宣布荣获全球领先的无线通讯技术产品和服务提供商龙旗控股(简称“龙旗”)颁发的“2009年度优秀供应商”奖。
2010-05-12
安森美 龙旗 绿色电子产品 “优秀供应商”奖
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安森美半导体荣获龙旗控股颁发 “优秀供应商”奖
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ONNN )宣布荣获全球领先的无线通讯技术产品和服务提供商龙旗控股(简称“龙旗”)颁发的“2009年度优秀供应商”奖。
2010-05-12
安森美 龙旗 绿色电子产品 “优秀供应商”奖
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ST发布高性能功率封装 可提高MDmesh V功率密度
功率半导体厂商意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT™ 8x8 HV 封装 意法半导体 ST MOSFET MDmesh™ V
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ST发布高性能功率封装 可提高MDmesh V功率密度
功率半导体厂商意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT™ 8x8 HV 封装 意法半导体 ST MOSFET MDmesh™ V
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ST发布高性能功率封装 可提高MDmesh V功率密度
功率半导体厂商意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT™ 8x8 HV 封装 意法半导体 ST MOSFET MDmesh™ V
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ThinPAK 8x8：英飞凌推出适用于高压功率MOSFET的新型无管脚SMD封装
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米（D2PAK的占板空间为150平方毫米），高度仅为1毫米（D2PAK的高度为4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飞凌 MOSFET SMD封装
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