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板子上的MOSFET莫名炸机，多半是这个原因！
MOSFET、IGBT是开关电源最核心也是最容易烧坏的器件！其原因大多是过压或过流导致功耗大增，从而使器件损坏，甚至可能会伴随爆炸。而SOA安全工作区测试，就是保障其安全工作的重要测试项目！
2021-09-07
MOSFET 炸机 开关电源
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X-FAB与派恩杰达成长期战略合作，共同推动全球SiC产业发展
2021年9月6日，模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。
2021-09-06
X-FAB SiC功率器件 派恩杰
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功率因数校正
功率因数定义为设备能够传输到输出端的能量与其从输入电源处获取的总能量之比。它是电子设备设计的关键绩效指标，很多国家和国际组织都为此制定了相应的法规。例如欧盟定义了设备必须具备的最小功率因数或最大谐波水平，满足其标准才能在欧洲市场进行销售。
2021-09-06
功率因数 校正
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解读数据手册中的热参数和IC结温
工程师在转换数据手册中的热阻参数，并做出有意义的设计决策时常常面临很多困惑。这篇入门文章将帮助现在的硬件工程师了解如何解读数据手册中的热参数，包括是否选择 theta 与 psi、如何计算其值；更重要的是，如何更实用地将这些值应用于设计。本文还将介绍应用环境温度之间的关系，以及它们与 PCB...
2021-09-06
数据手册 热参数 IC结温
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拒绝内卷，伏达重新定义功率“触顶”趋势下的充电半导体技术演进路线图
智能手机性能大战发展到今天，硬件比拼已经从手机本身拓展到作为手机必备的充电器，无论是无线充电还是有线充电都早已进入快充时代，而对“快”的定义品牌商都不断刷新新的高度，OPPO、小米、华为、vivo 等手机厂商无一不在快充功能上持续发力——从 20瓦 到 120瓦，一场来自手机厂商们的 “快充大战” 几...
2021-09-06
伏达 充电 半导体技术
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仿真看世界之IPOSIM的散热器热阻Rthha解析
如何评估IGBT模块的损耗与结温？英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，给大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
IGBT 英飞凌 热阻
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芯海科技三合一单芯片解决方案CSA37F72赋能TWS多维人机交互
近年来，TWS市场持续火热，随着潜在用户的需求释放，TWS耳机市场将进一步扩大。TWS耳机将不仅仅是一个手机配件，未来更是一个独立的智能终端。一直以来，TWS耳机“容易误触、操作动作单一、影响体验”等缺点被消费者吐槽不已，如何提升TWS耳机的交互体验，为客户带来创新的产品竞争力？
2021-09-05
芯海科技 TWS 多维人机交互
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你的MOSFET为什么发热那么严重？
在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。
2021-09-04
MOSFET 发热
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无人化行业CAN-bus解决方案
无人化行业迅速发展，CAN-bus在无人配送中发挥着重要的作用。ZLG致远电子针对目前无人行业存在的需求，提供系统的CAN-bus应用解决方案，助力无人化行业进程。
2021-09-04
无人化行业 CAN-bus 解决方案
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