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VCS1625Z :Vishay改进的S系列高精度箔电阻
Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal® 箔 (BMF) 电阻,这些电阻在 -55°C~+125°C(+25°C 参考点)时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差,以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔电阻 军事航空
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VCS1625Z :Vishay改进的S系列高精度箔电阻
Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal® 箔 (BMF) 电阻,这些电阻在 -55°C~+125°C(+25°C 参考点)时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差,以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔电阻 军事航空
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VSMP0603:Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面贴装电阻
Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面贴装电阻。典型的 0603 电阻经过 1000 小时工作负荷后负载寿命稳定性 ≥0.1%,Vishay 新型器件在这方面已大幅改进,在额定功率、温度 70ºC 情况下工作 2000 小时负载寿命稳定性为 ±0.005%。
2008-08-13
VSMP0603 表面贴装电阻 军用级
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S系列:Vishay改进的军用级高精度箔电阻
Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal® 箔 (BMF) 电阻,这些电阻在 -55°C~+125°C(+25°C 参考点)时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差,以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。
2008-07-30
箔电阻 S系列 军用级
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DS7505:Maxim新±0.5°C精度的温度传感器
Maxim推出带有EEPROM的±0.5°C精度数字温度传感器和温度调节器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上电时能够运行用户设定的配置和温度调节门限。DS7505与工业标准的LM75和Maxim的DS75软件且引脚兼容,是基站、电信、网络设备和医疗系统等需要高精度温度测量应用的理想选择。
2008-07-24
DS7505 数字温度传感器 温度调节器
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TDK中国营业统括部统括部长南研造接受媒体专访:提高耐热性是被动元件发展的一个新方向
1935年,铁氧体的发明人,当时任教日本东京工业大学电化学系的加藤与五郎博士和武井武博士创立了东京电气化学工业株式会社,从事磁性材料的商业开发和运营。1983年,该公司正式更名为TDK株式会社,取的是原名称Tokyo(东京) Denki(电气) Kagaku(化学)的首字母(中文公司译名:东电化)。
2008-07-17
被动元件
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TG-5005CG:Epson Toyocom搭载了QMEMS印制蚀刻芯片的小型TCXO
Epson Toyocom公司开始批量生产针对手机终端的GPS,在小型且高精度TCXO(温度补偿晶体振荡器)TG-5005CG中搭载了使用QMEMS技术制作的印制蚀刻芯片的产品。
2008-07-16
TG-5005CG TCXO 温度补偿晶体振荡器
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VSA101:Vishay 新型VSA101超高精度轴向 Z 箔电阻
Vishay推出新型 VSA101轴向 Bulk Metal Z 箔电阻。这款新型器件在 0°C~+60°C 以及 -55°C~+125°C的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色 PCR(“∆R,由于自加热”)、±0.005% 的容差,以及 ±0.005% 的负载寿命稳定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔电阻 军用级
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VSA101:Vishay 新型VSA101超高精度轴向 Z 箔电阻
Vishay推出新型 VSA101轴向 Bulk Metal Z 箔电阻。这款新型器件在 0°C~+60°C 以及 -55°C~+125°C的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色 PCR(“∆R,由于自加热”)、±0.005% 的容差,以及 ±0.005% 的负载寿命稳定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔电阻 军用级
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