【导读】最近总结一下晶体管的一些基本知识，包含内容有晶体管的电流放大原理、输出特性曲线、主要参数，本文介绍的内容，适合新手学习，就类似于笔记记录。
最近总结一下晶体管的一些基本知识，包含内容有晶体管的电流放大原理、输出特性曲线、主要参数，本文介绍的内容，适合新手学习，就类似于笔记记录。
晶体管的基本放大电路
基本共射放大电路
共射放大电路回路组成
输入回路：△u1是输入电压信号，经过Rb接入基极和发射极回路
输出回路：放大后的信号在集电极和发射极回路
发射极为两个回路共用端，所以称为共射放大电路
晶体管工作在放大状态的外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置
为此我们需要基极电源VBB，集电极电源VCC，且VCC>VBB。
晶体管放大作用体现：很小的基极电流可以控制很大的集电极电流。
IE:发射结电流
IB:基极电流
IC:集电极电流
关系：IE=IB+IC
共射电流放大系数
一般认为：
电流放大关系公式
晶体管共射特性曲线
1.输入特性曲线
描述特性：管压降Uce一定时，基极电流iB与发射结压降Ube之间的函数关系
晶体管输入特性曲线
发射结与集电结并联时（Uce=0），就是一个二极管状态，与PN结伏安特性曲线类似
对于确定的Ube，当Uce增大到一定值后，ic将不再增大，也即是ib基本不变。
2.输出特性曲线
描述特性：基极电流Ib一定时，集电极电流Ic与管压降Uce之间的函数关系。
晶体管输出特性曲线
对于不同的Ib，都有一个对应的曲线
当Uce增大时，ic随即增大，而当Uce增大到一定数时，集电结电场足以将基区非平衡少子的绝大部分收集到集电区，此时ic不再明显增大，也就是说，ic基本仅决定与ib。
晶体管三个工作区域
截止区：发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。共射电路中：Ube≤Uon且Uce>Ube，也就是基极电压太小。
放大区：发射结正向偏置且集电结反向偏置。共射电路中：Ube>Uon且Uce≥Ube。此时ic基本仅决定与ib，与Uce无关，此时就用基极电流控制了集电极电流。
饱和区：发射结与集电结都处于正向偏置。共射电路中：Ube>Uon且Uce<Ube。此时ic除了与iB有关外，明显随着Uce增大而增大。实际电路中判断晶体管饱和时：如果晶体管Ube增大时，即iB增大，但是ic基本不变，即说明晶体管进入了饱和区。
晶体管温度特性曲线
温度对晶体管输出特性的影响
实线是20℃时的特性曲线，虚线是60℃的特性曲线，可以看出，温度升高，集电极电流增大。
集电极耗散功率增大，当硅管温度大于150℃，锗管温度大于70℃时，管子性能就会损坏，所以对于大功率管，需要注意温升测试并且选用合适的散热器。
极间反向击穿电压
定义：晶体管某一极开路时，另外两个电极允许加的最高反向电压
U(BR)CBO:发射极开路时集电极-基极之间的反向击穿电压。
U(BR)CEO:基极开路时集电极-发射极之间的反向击穿电压。
U(BR)EBO:集电极开路时发射极-基极之间的反向击穿电压。
结构图与实物图
晶体管结构示意图
晶体管实物图
