【导读】慕尼黑电子展 electronica 2026 上，意法半导体推出 GANSPIN1100 系列 100V 氮化镓集成半桥功率级，包含 GANSPIN1102、GANSPIN1102E（顶部散热）、GANSPIN1105 三款型号，5mm×6.5mm LGA 封装，最高连续输出电流 60A，支持最高 5MHz 开关频率、独立栅极时序调节，集成智能直通保护、UVLO/OVLO、过温保护等全套防护。产品适配人形机器人关节、工业伺服、电动工具、无人机、电自等场景，展会上演示机械臂关节驱动方案，预计 2026 年底上市。
中国，2026年11月12日——意法半导体在GANSPIN产品家族中新增100 V型号，提供易于使用的氮化镓（GaN）功率级，助力打造紧凑、高效的电机驱动系统。
三款新器件的尺寸均为5mm×6.5mm，其中，GANSPIN1102的典型导通电阻RDS(on)为2.4mΩ；GANSPIN1102E则新增专用顶部散热选项，使设计人员在散热要求严苛的高功率密度设计中，能够更灵活地直接从封装顶部导出热量。第三款器件GANSPIN1105的典型导通电阻RDS(on)为5.5mΩ。
在包括人形机器人关节驱动在内的机器人应用中，GANSPIN1100系列可实现轻量化、节省空间的设计，并提供响应迅速、精准的运动控制。器件的引脚布局可以轻松实现双层PCB的紧凑布局，简化电路板设计，并有助于降低整体物料清单（BoM）成本。
高度集成度的驱动器、精准的时序控制以及出色的dv/dt抗扰能力，可提升工业伺服驱动器和执行器等设备的长期可靠性。该系列器件还可用于电动自行车、无人机和电动工具，其高效率有助于延长电池续航时间。
全新GANSPIN1100驱动器的连续输出电流能力最高可达60 A（具体取决于器件型号），在实现高功率密度的同时，节省电路板空间并降低物料清单（BoM）成本。每款器件均集成两个GaN晶体管、具有优化栅极电阻的栅极驱动器，以及VCC电容和自举电容。
新器件为高侧和低侧晶体管的开通与关断分别提供独立的栅极驱动输出，使设计人员能够精细调整开关时序，优化效率和电磁干扰（EMI）表现。短至20 ns的传播延迟和精确至1 ns的延迟匹配，支持高达5 MHz的开关频率，满足高性能电机控制需求。
此外，智能直通保护功能通过监测栅极驱动输出电压，实现接近零的死区时间，在防止上下管同时导通的同时，尽可能降低GaN器件的第三象限损耗。器件还具备输入互锁功能，以及动态自举开关，可在各种条件下保持高侧栅极驱动电压稳定，防止电容过充。VCC电源和自举电源均配备欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO）功能，再加上过温关断功能，共同构成完整的保护机制。
GANSPIN1102、GANSPIN1102E和GANSPIN1105采用厚度为1.12 mm的栅格阵列（LGA）封装，工作结温范围为−40 ℃至125 ℃。预计这些器件将于2026年底前上市。
在2026年11月10日至13日于慕尼黑举办的electronica 2026展会上，ST在展台上展示GANSPIN1102E驱动机械臂关节的演示。
关于意法半导体
意法半导体拥有49,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商（IDM），意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，让电源和能源管理更高效，让云连接的自主化设备应用更广泛。我们正按计划在所有直接和间接排放（包括范围1和范围2）、产品运输、商务旅行以及员工通勤排放（重点关注的范围3）方面实现碳中和，并在2027年底前实现100%使用可再生电力的目标。
结论
ANSPIN1100 系列把 GaN 管、栅驱、自举电容高度集成，大幅简化电机驱动 PCB 设计、降低 BOM 成本。凭借高频、低损耗、紧凑封装与灵活散热方案，很好匹配人形机器人关节轻量化、高动态响应的需求，为低压精密运动控制提供高功率密度氮化镓方案。
