【导读】目前的芯片工艺越来越精密，主IC都到纳米级别了，具有极薄光刻技术和极易受到 ESD 影响的栅极氧化物的先进技术，所以IC的防静电能力主要是保护自身在生产运输和安装过程中不受损坏。
防静电需求
目前的芯片工艺越来越精密，主IC都到纳米级别了，具有极薄光刻技术和极易受到 ESD 影响的栅极氧化物的先进技术，所以IC的防静电能力主要是保护自身在生产运输和安装过程中不受损坏。
其次具有高元件密度的 PCB 的集成电子板有助于 ESD 耦合和传播，所以整机中ESD现象时常发生。
为什么IC 制造商不愿意制造强大的嵌入式 ESD 保护二极管，因为它们需要大量先进且昂贵的技术的有效面积，防静电不同于别的芯片工艺，静电瞬间电流有数十安培，必须通过有效的芯片面积来防护，不是尖端工艺能解决的。
高速信号芯片防静电特点
ESD 保护器件的寄生电容必须足够低，以允许高速信号传输而不会降级。
ESD 保护器件的高寄生电容会增加过多的信号上升/下降时间并阻止通信，从而丢包。
以下是以电容置于高速信号线对信号的影响图形。
很多人不清楚这个电容的换算，也可以参考下面的图片
如何保证线路上的寄生电容足够小，而且走线也不影响差分信号阻抗匹配？
首先要选择电容足够小的ESD器件，其次是要合理布线。
在尽可能情况下，选择DFN封装的ESD器件，如雷卯电子ULC0524P ULC0511CDN这类超低电容的器件。
如何看懂ESD器件参数？
一般入门级只要看懂动作电压Vbr，电容Cj，箝位电压Vc即可。
以下规格书为示例。
DFN封装技术越来越成熟，封装速度快，体积小，雷卯提供了越来越多的防静电DFN封装器件，DFN1006 DFN1610 DFN2020 DFN1616 DFN2010 DFN2510 DFN3310 等，最多支持10路的高速信号静电保护。
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