【导读】2025年11月20日至21日，全球领先的综合电子元器件制造商村田中国将盛大出席在成都中国西部国际博览城举办的“2025集成电路发展论坛（成渝）暨三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD 2025）”，展位号为【D106】。此次参展，村田将聚焦未来高性能AI发展需求，针对高速高频设计挑战展示一系列小型化、高性能的元器件产品和解决方案，为集成电路产业的创新与发展注入新动力。

AI芯片市场正经历前所未有的增长。根据德勤中国最新发布的《技术趋势2025》报告，全球AI芯片市场到2027年预计将增长至4000亿美元，即使保守预估也能达到1100亿美元规模。这一爆发式增长对集成电路设计提出了更高要求。AI应用对计算能力、能效和稳定性的需求日益提升，如何优化和创新芯片中的各类元器件，已成为行业关注的焦点。村田公司凭借其技术积累，致力于通过元器件创新助力行业应对这些挑战。

低ESL硅电容：优化高频去耦性能

村田低ESL（UESL）硅电容专为封装内去除高频反谐振点的去耦和PDN（电源分配网络）设计优化而开发，特别适合AI服务器高性能计算（HPC）和前沿深度学习所需的高规格GPU等应用场景。

该系列产品具有低等效串联电感（ESL）、低等效串联电阻（ESR）和多端子设计，能有效降低PDN在高频下的阻抗，支持多电源域的去耦需求。其3D结构实现了电容分布的灵活性，目前已成功应用于多款旗舰级APU以及HPC的PDN设计参考中。

多层陶瓷电容器（MLCC）：产品线全面覆盖

村田此次展出的MLCC产品系列丰富，包括长宽倒置电容（LLL）、三端子电容（NFM）以及小型化大容量电容等多种类型，可广泛应用于AI服务器、交换机、汽车电子等多种场景。

其中，长宽倒置型低ESL MLCC具有220μm以下的超薄厚度，其低ESL特性对电路PDN设计大有裨益，非常适合芯片背贴应用。而三端子电容则能有效解决板级或芯片内部空间限制问题，减少电容使用数量，显著提升电路性能。

值得一提的是，村田在大容量化方面取得重大突破，已成为业内首家实现0603尺寸（1.6x0.8mm）/X6/100μF产品量产的厂商，这一技术领先优势进一步巩固了其在电子元器件领域的领导地位。

集成封装解决方案：创新设计突破空间限制

村田集成封装解决方案结合了聚合物电容与多层基板技术生产工艺，具有容值密度高、厚度薄等突出特点。其专有的通孔设计可实现芯片或电源模块的垂直供电，同时具备稳定性高、无直流偏置和温漂的优越性能。

与传统电容布局相比，这一创新解决方案在优化PDN阻抗的同时，为高性能计算等应用的紧凑化设计开辟了新的可能性，特别适用于服务器、GPU和AI加速卡等对空间要求严苛的应用场景。

专业技术分享：PDN设计与解决方案深度解析

展会期间，村田还将参与“IC设计与创新应用”专题会议，由村田中国产品工程师李丹钰女士带来《AI与汽车电子领域的精良封装IC(PDN)设计与解决方案》的主题演讲。该演讲将分享村田在人工智能和车载电子领域的PDN优化经验和前沿封装设计思路，为行业专业人士提供宝贵的技术洞察。