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SiC和GaN，新兴功率器件如何选？
新兴的SiC和GaN功率器件市场未来10年预计增长18倍，主要需求市场是电源、光伏逆变器和工业电机驱动。SiC肖特基二极管已经有10年以上历史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出现，GaN功率器件更是刚刚才在市场上出现。他们谁会成为未来新兴功率器件市场的主角？我们现在应该选用他们吗？
2013-06-19
功率器件 SiC BJT SiC
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巧避两大因素，延长CMOS使用寿命
对于模拟CMOS而言，有两大主要危害，其一是静电，其二是过压。因此，要做好CMOS的保护，就需从这两大主要因素入手，避免错误地使用CMOS，从而延长CMOS的使用寿命。本文将介绍该如何有效应对这两大危害。
2013-06-19
CMOS 电路 CMOS器件 静电 过压
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保护LED免受EOS损伤的两大防护方案对比
LED 器件很容易受到EOS的损伤，这种损坏有时能够直接击坏器件造成失效。本文讲到的两种EOS防护方案，一是用TVS稳压管来进行保护，另一种则是采用PolyZen系列元器件，两种方案孰优孰劣？请看下文。
2013-06-18
EOS LED 电路保护 保护器件 PolyZen
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防止锂离子电池组短路新方法
锂离子电池存在短路风险，而对于动力电池组而言，其多达几百甚至上万节的锂离子电池更是大大增加了其发生短路的概率，而一旦短路将极易导致恶性事故的发生，因此做好锂离子电池组短路保护十分重要且必要。
2013-06-07
电池 短路 锂离子电池
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能降低成本的三端并联稳压器
在电源变换器设计中往往使用价格较高的传统运算放大器，而本文主要通过实例说明怎样用一个较之廉价的三端并联稳压器去实现同样的功能。
2013-06-01
并联稳压器 TL431 三端稳压器
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基于TE mini array 的ESD防护设计
IC的集成度越来越高，但唯独 ESD 防护功能无法集成，却变得更为敏感。因此对于IC的ESD防护也十分重要且必不可少。本文将讲解基于TE的ESD静电防护产品mini array在USB3.0及HDMI1.4接口的ESD防护设计。
2013-05-23
ESD TE 静电防护 USB
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如何设计智能时代电子产品电路保护的精华资料下载
第十四届电路保护与电磁兼容技术研讨会刚落幕不久，在研讨会上很多知名厂家做出精彩的技术演讲，助力中国电子行业的设计工程师的原创设计, 帮助工程 师解决设计中的电路保护与电磁干扰问题，提高设计效率，加快产品竞争力和上市时间！ 本站编辑精心为大家整理了槟城电子、AEM、新铂铼电子等领军...
2013-05-20
电路保护 资料 电子产品
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一种更精确的IGBT防护设计探究
在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式——所需余量较大，系统庞大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题，这一直是IGBT领域的研究热点，给广大设计者带来了不少麻烦。本文将突破传统的保护方式，探讨IGBT系统电路保护设计的解决方案。
2013-05-10
IGBT 电路保护
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基于AZ1065的USB 3.0介面ESD防护设计
USB3.0具有高达5Gbps的资料传输速度，但其控制晶片对ESD的耐受能力也快速下降，加上最普遍的USB热插拔动作，也极易造成电子系统工作异常，甚至造成USB控制晶片毁坏，因此，使用额外的ESD保护元件于USB3.0介面来防止ESD事件对资料传输的干扰是绝对必要的。
2013-05-09
USB 3.0 ESD防护 ESD
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