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战略布局再进一步：意法半导体2025股东大会关键决议全票通过
意法半导体（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股东大会于荷兰阿姆斯特丹圆满落幕，大会全票通过所有决议案。作为全球多重电子应用领域领导者，此次决议将为公司战略布局注入新动能。
2025-06-20
意法半导体 股东大会
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μV级精度保卫战：信号链电源噪声抑制架构全解，拒绝LSB丢失！
在精密测量、医疗仪器及工业传感系统中，信号链的μV级精度直接决定系统性能上限。而电源噪声，常以隐形杀手的姿态吞噬ADC/DAC的有效位数——当1mV电源纹波可导致12位ADC丢失4个LSB时，电源架构选型便成为精度保卫战的核心战场。本文从噪声频谱与拓扑本质出发，拆解LDO、开关电源及混合架构的噪声基因...
2025-06-19
电源噪声 ADC精度 PSRR优化 信号链噪声抑制 LDO选型 开关电源滤波
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从单管到并联：SiC MOSFET功率扩展实战指南
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。
2025-06-19
SiC MOSFET并联 高功率设计 分立器件优势 功率扩展 热管理设计 并联可靠性
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如何选择正确的工业自动化应用的仪表放大器？
在自动化程度日益提升的工厂环境中，仪表放大器作为微弱信号采集的“感知末梢”，其性能稳定性直接关乎设备运行状态与生产效率。如何正确选择一款坚固耐用、高精可靠的工业级仪表放大器？本文将揭秘工业级仪表放大器的五维选型矩阵与三大致命场景破解方案，助您筑起工业信号链的铜墙铁壁。
2025-06-19
工业自动化应用 仪表放大器选型 工业传感器接口 抗干扰信号调理
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高结温IC设计避坑指南：5大核心挑战与应对策略
在商业、工业及汽车电子领域，高温环境对集成电路的性能、可靠性和安全性构成严峻挑战。随着应用场景向极端温度条件延伸，高结温引发的漏电增加、寿命衰减等问题日益凸显，亟需通过创新设计技术突破技术瓶颈。本文将解析高温对集成电路的深层影响，揭示高结温带来的五大核心挑战，并探讨针对性的高...
2025-06-18
高温IC 高温IC设计 高结温挑战 工业芯片高温应用
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优化仪表放大器的设计提升复杂电磁环境中的抗干扰能力
在复杂电磁环境中，仪表放大器的抗干扰能力直接决定了信号采集的精度与可靠性。以下从电路设计、封装工艺到系统优化的全链路技术手段，可全面提升仪表放大器的抗干扰性能。
2025-06-16
仪表放大器 抗干扰设计 CMRR优化 EMI抑制 电磁屏蔽 共模抑制 工业传感器 医疗电子 复杂电磁环境
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仪表放大器如何成为精密测量的幕后英雄？
在纷繁复杂的电子信号世界中，微弱而珍贵的真实信号常常淹没在强大的噪声干扰之中。此时，仪表放大器便如一位技艺高超的“信号雕刻家”，凭借其非凡的共模抑制能力与高精度特性，从混沌中精准提取出我们所需的微弱信号差异。作为模拟电子电路中的核心精密器件，它不仅是现代高精度测量系统的基石，更...
2025-06-13
仪表放大器 差分放大器 信号调理 低噪声放大器
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从失效案例逆推：独石电容寿命计算与选型避坑指南
在新能源汽车电机控制器中，因独石电容（MLCC）寿命估算偏差导致的批次召回事件屡见不鲜——某车企因未考虑电压波动影响，实测电容寿命仅为理论值的30%，最终付出1.2亿元代价。MLCC的寿命不仅关乎电子系统的可靠性，更直接影响企业的质量成本。本文通过拆解温度、电压、湿度三大力学模型，结合车规、...
2025-06-13
独石电容寿命计算 高温老化测试
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安森美SiC Cascode技术：共源共栅结构深度解析
碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。
2025-06-12
安森美SiC Cascode FET 共源共栅结构 碳化硅功率器件
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