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探究电路里0.1uF和0.01uF电容的共存之谜
旁路电容(Bypass Capacitor)和去耦电容(Decoupling Capacitor)这两个概念在电路中是常见的,但是真正理解起来并不容易。
2024-12-16
电路 电容
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为何混合型交流浪涌保护器是浪涌保护首选?
现在的电子设备无处不在且发展迅速,其越来越敏感的电路在很大程度上依赖前端保护,因为它们要接入电力基础设施,而这些基础设施可能有或者没有最新的电压浪涌和瞬态保护功能。这些瞬态事件可能是由雷击、开关动作或类似的电压浪涌事件造成的结果,会导致过电压和过电流事件,进而损坏敏感电子设备...
2024-12-16
交流浪涌保护器 浪涌保护
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对比双电源分立式和集成式仪表放大器
设计分立式仪表放大器 (IA) 与集成式 IA 的优点和缺点有很多,而且经常争论不休。需要考虑的一些变量包括印刷电路板 (PCB) 面积、增益范围、性能(随温度变化)和成本。本文的目的是比较三种双电源 IA 电路:使用四路运算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益设置电阻器 (RG) 的通用 IA 和带...
2024-12-13
双电源 分立式 集成式 仪表放大器
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无辅助绕组 GaN 反激式转换器如何解决交流/直流适配器设计难题
人们对更小、更高效电源的需求不断增长,进而推动着基于氮化镓 (GaN) 的功率级快速普及。在交流/直流适配器市场中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式转换器,通过功能越来越强大但尺寸越来越小的适配器,帮助扩大 USB Type-C® 接口的市场规模。
2024-12-13
无辅助绕组 GaN 反激式转换器 交流/直流适配器
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如何选择有效的ESD保护二极管
ESD 保护器件的目的是将数千伏的 ESD 输入降低至受保护 IC 的安全电压,并将电流从 IC 分流出去。尽管所需 ESD 波形的输入电压和电流在过去几年中没有变化,但保护 IC 所需的安全电压水平却有所下降。过去,IC 设计对 ESD 更加稳健,并且可以处理更高的电压,因此选择能够满足 IEC61000-4-2 4 级要...
2024-12-12
ESD 保护二极管
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第11讲:三菱电机工业SiC芯片技术
1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件,广泛应用于工业、汽车等领域。目前,1200V级SiC MOSFET被多家器件厂商定位为主力产品,本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。
2024-12-12
三菱电机 工业 SiC 芯片技术
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用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台
在现代ULSI电路中沟道热载流子(CHC)诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时,热载流子(动能非常高的载流子)由于原子能级碰撞的冲击电离,可以在漏极附近产生电子—空穴对。
2024-12-12
矩阵开关 热载流子
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功率器件热设计基础(七)——热等效模型
有了热阻热容的概念,自然就会想到在导热材料串并联时,就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成,各层都有一定的热阻和热容,哪怕是散热器,其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下的各层温度如下图,温度的纹波是由热容决定的。
2024-12-11
功率器件 热设计 热等效模型
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学子专区—ADALM2000实验:调谐放大器级—第2部分
正如我们在上一组实验中了解到的,二阶LC谐振电路通常用作放大器级中的调谐元件。如图1所示,简单的并联LC谐振电路可以产生电压增益,但需要消耗电流来驱动阻性负载。缓冲放大器(如射极跟随器)可以提供所需的电流(或功率)增益来驱动负载。
2024-12-11
ADALM2000 调谐放大器
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