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电路保护

静电放电保护器件种类与特点

静电放电(ESD)是一种意外的快速高压瞬态波形，出现在电路内的导体上。ESD引起的高电压和电流峰值可能导致静电敏感IC等器件发生故障。人际接触是ESD的常见来源。即使人与电路没有直接接触，电容式检测开关等器件也可以允许电荷耦合到电导体上。在ESD放电可能导致电路故障的情况下，需要ESD保护。

2022-07-14

静电放电保护器件特点

贸泽电子连续第五年荣获Littelfuse年度全球分销商奖

2022年6月30日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 荣获Littelfuse颁发的2021年度全球卓越服务分销商奖。Littelfuse是一家致力于打造一个可持续发展、互联互通和更安全世界的工业技术制造公司。这是贸泽连续第5年、历年来第11次获得这项...

2022-07-02

贸泽电子 Littelfuse 分销商奖

知名企业集结佛山引燃2022华南国际铝工业展

中国国际铝工业展首次移师落地广东佛山。主办方与中国有色金属加工工业协会携手在广东潭洲国际会展中心举办“华南国际铝工业展”，定档2022年8月10-12日。结合地域资源，粤港澳国际化优势，本届展会预计将有近300家知名企业联袂展示铝及铝合金、铝加工材、铝制部件、制成品以及相关机械设备、辅料耗材...

2022-07-01

华南国际铝工业展

贸泽电子荣获Bourns 2021年度全球电子商务分销商大奖

2022年6月28日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子(Mouser Electronics) ™自豪地宣布荣获业界知名电子元件制造商和供应商Bourns® Inc颁发的2021年度电子商务分销商大奖。这个大奖旨在表彰贸泽通过其卓越的设计创新能力，在电子商务中取得的销售成功和业绩增长。

2022-07-01

贸泽电子 Bourns 分销商大奖

功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗

IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。

2022-06-17

功率半导体 IGBT 损耗

保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

2022-06-13

IGBT MOSFET ESD

保护USB Type-C连接器

今天的消费者已经很快地对采用 USB-C 或 USB-Type C 通信接口标准的移动设备变得依赖——从智能手机和平板电脑到可穿戴设备和笔记本电脑。因此，设计针对静电放电 (ESD) 和过热条件的强大保护从未像现在这样重要。

2022-06-07

电路保护 USB Type-C 连接器

超级电容的几种典型应用介绍

智能电能表在电池故障或更换过程中，为保持其内部RTC电路在指定的精度下持续工作，选用超级电容器作为RTC后备工作电源。

2022-06-06

超级电容

常见MOSFET失效模式的分析与解决方法

提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到这个目标，需要提高开关频率，从而降低功率损耗、系统整体尺寸以及重量。对于当今的开关电源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零电压开关(ZVS) 或零电流开关(ZCS) 拓扑允许采用高频开关技术，可以大限度地降低开关损耗。ZVS拓扑允许工作...

2022-06-01

MOSFET 失效模式解决方法

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