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瑞萨600V耐压超结MOSFET导通电阻仅为150mΩ

文件来源:电子元件技术网
文件类型:pdf
更新时间:2012-07-11
文件大小:90K
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。
本文链接:http://www.cntronics.com/cp-dl/853
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