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SICK推出新一代方型电感式接近开关IQ08/10/12
新一代IQ 系列方型电感式接近开关，提供IQ08，IQ10 以及IQ12 三种规格，在产品性能上继续延续上一代产品的优点，还引入了多项技术以提高产品稳定性和可靠性应对恶劣环境应用。
2013-05-16
接近开关
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SICK推出电容式接近开关CM12
CM12电容式接近开关针对各种非金属测量应用进行了优化，其外壳尺寸为直径12mm，但检测距离却能达8mm，节省了安装空间之余还拓宽了其应用范围。
2013-05-16
电容
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无线集抄技术前景一片光明
微处理器芯片作为智能化电能表的“心脏”，近几年随着应用范围的扩大，其技术水平也在不断地提升，极大地促进了智能抄表的应用。随着无线通信技术在自动抄表系统及智能电网中的应用，无线抄表技术得到很好的发展。
2013-05-16
无线集抄
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智能电表发展态势强劲
智能电表作为新一代电能表，除了具备电能计量的基本功能外，还拥有用电信息存储、远程采集、信息交互等功能。相较于原有的卡式表和机械式表，智能电表使用户购电更方便、用电更明白、生活更低碳。各种优势使智能电表受到我国社会各界的热捧。
2013-05-16
智能电表
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高性能电解电容器是LED长寿命的保障
LED是一种寿命极长的电光源，其使用寿命可以达到10万小时。但是，在实际应用中，LED的寿命并不能达到理想的长度，有的甚至使用不到一年就已经损坏。究其原因，铝电解电容器是导致LED驱动电路寿命达不到要求的关键元素。如果能做出长寿命电解电容器，使电解电容器的寿命与LED寿命基本相同。那么，电...
2013-05-16
电解电容
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安森美推出降低30%开关损耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半导体推出新的第二代场截止型(FSII)IGBT器件，降低开关损耗达30%，因而提供更高能效，并转化为更低的外壳温度，为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标应用进行了优化，相比现有器件能降低外壳温度达20%。
2013-05-16
安森美 IGBT 开关损耗
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孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?
工程师常常认为当应用需要更高电压时，使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势。但是，如果只是考虑开关品质因数，相比先进的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了。GaN场效应晶体管与硅功率器件中低压降压转换器应用中的性能到底怎样？且听本文细细分解。
2013-05-16
氮化镓场效应晶体管 硅功率器件
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仅有120ns最大传播延迟的门驱动光电耦合器
近日，Avago Technologies推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源(SPS)等高频率应用。相较于Avago前一代产品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在传播延迟...
2013-05-15
光电耦合器 传播延迟
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电源转换新时代的来临：IR开始商业装运GaN器件
IR在业内率先商业付运可大幅提高现有电源转换系统效率的GaN功率器件，预示着电源效率革命性改善新时代的到来。相比当今最先进的硅功率器件技术，氮化镓技术平台能够将客户的电源应用的性能指数(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 电源转换
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