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孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?
工程师常常认为当应用需要更高电压时，使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势。但是，如果只是考虑开关品质因数，相比先进的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了。GaN场效应晶体管与硅功率器件中低压降压转换器应用中的性能到底怎样？且听本文细细分解。
2013-05-16
氮化镓场效应晶体管 硅功率器件
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仅有120ns最大传播延迟的门驱动光电耦合器
近日，Avago Technologies推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源(SPS)等高频率应用。相较于Avago前一代产品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在传播延迟...
2013-05-15
光电耦合器 传播延迟
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电源转换新时代的来临：IR开始商业装运GaN器件
IR在业内率先商业付运可大幅提高现有电源转换系统效率的GaN功率器件，预示着电源效率革命性改善新时代的到来。相比当今最先进的硅功率器件技术，氮化镓技术平台能够将客户的电源应用的性能指数(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 电源转换
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硅功率MOSFET前景堪忧？
30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源，硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来，MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期；然而与此同时，增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善，迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗？
2013-05-15
MOSFET 电源转换 GaN
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IGBT在太阳能应用中的高能效设计
对于太阳能逆变器来说，绝缘栅双极晶体管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如果利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT，使太阳能应用的功耗降至最低。
2013-05-14
IGBT 太阳能 逆变器 高能效
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第三讲：基于MOSFET的高能效电源设计
通过结合改进的电源电路拓扑和概念与改进的低损耗功率器件，开关电源行业在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在经历革新性发展。MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，可以提高沟槽密度，并无需JFET阻抗元件，因此能够使特征导通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量损耗，极大的提高了电源能...
2013-05-14
MOSFET 高能效 电源
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EMC领军企业挥师西部 大举抢占军工、航天、通信市场 ——直面中国制造业向西部的战略转移，先入为主，占领中国西部市场！
“ 中国(西部)EMC应用技术展”是电磁兼容技术面向航天、军工、通信领域的国际盛会。 成都，中国西部大开发的龙头城市，中国重要的基础电子装备基地、航天、军品电子中心。
2013-05-13
EMC
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中国电子展助力西部——中国电子展6月亮相成都 全面展示工业和军工电子技术解决方案
电子信息是成都第一支柱产业之一。四川电子信息产业是一极一基地四带多园区，其中“一极”即是成都。在这里，电子信息产业产值在全省占50%左右，软件占90%以上。始于英特尔来蓉、富士康、仁宝、纬创、德州仪器等世界IT巨头纷至沓来……眼下，世界500强企业中超过40家电子类企业来蓉布局，全球软件20强中...
2013-05-13
中国电子展
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西部电子行业发展前沿 参观注册好礼相送
2013年6月20—22日，中国电子展（CEF）系列展览之一的“2013中国（成都）电子展” (www.icef.com.cn )将在成都世纪城新国际会展中心召开。在20000平方米的展厅中，将汇集国内外的600余家领军企业参展，12场专业研讨会和高峰论坛。
2013-05-13
西部电子
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