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详解各类电阻特性与应用
随着应用的普及，晶片电阻具有越来越重要的作用。主要参数包括ESD保护、热电动势 (EMF)、电阻热系数 (TCR)、自热性、长期稳定性、功率系数和噪声等。
2013-01-12
电阻 特性 应用
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使用和设计IGBT新方法
目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式——所需余量较大，系统庞大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。
2013-01-12
IGBT 设计 保护
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二极管如何快速正确的选型
本文将探讨一些在选择正确的二极管时应仔细考虑的典型参数，以及如何应用这些参数来快速确定选型的正确与否。
2013-01-12
二极管 转换器 肖特基管
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使用数模转换器为变容二极管提供偏置电压的好处
变容二极管在反向偏置电压下运行，会在PN结附近形成耗尽区，变反向偏置的水平，就能改变耗尽区的厚度，从而影响二极管的有效电容。
2013-01-12
数模转换器 变容二极管 偏置电压
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如何选型压敏电阻
压敏电阻属于关键器件，如何正确的选择压敏电阻，要从哪些方面去考虑？对信号传输线路，进行ESD防护。
2013-01-11
选型 压敏电阻 ESD
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用工频市电直接供电的无电源变压器离线式稳压电源
用工频市电直接供电的无电源变压器离线式稳压电源与工频市电非隔离式稳压电源，尽管在电路上可能带有危险的电压，但由于体积小、线路简单。成本低，故在很多领域已得到较广泛的应用。
2013-01-10
工频市电 无电源变压器 离线式稳压电源
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如何避免可控硅在其使用中出现过载等问题
目前交流调压多采用双向可控硅，它具有过载和抗干扰能力差，且在控制大电感负载时会干扰电网和自干扰等缺点，下面我们来谈谈可控硅在其使用中如何避免上述问题。
2013-01-10
可控硅 过载
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详解TBU与传统过压过流电路中保护元件的区别
对于大型的控制电路，比如LED灯塔的电源控制线路，其保护以及维修都是一个比较复杂的工程。使用TBU方案，是否可以使过压过流电路保护解决方案设计更轻松呢？本文从传统的保护元器件入手，对比传统过流过压保护元器件和TBU方案的工作方式，深度解析TBU与传统过压过流电路保护元件的区别及其应用限制...
2013-01-10
TBU 保护元件 TPS
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ESD的保护方法
ESD保护元件的对比分析及大电流性能鉴定。为了给电子系统提供ESD保护，可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内建ESD保护架构。不过，日趋缩小的CMOS芯片已经越来越不足以承受进行内部2 kV等级的ESD保护所需要的面积。
2013-01-10
ESD 保护 TLP
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