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能源电力

英飞凌扩展第三代逆导IGBT产品组合

英飞凌科技股份有限公司扩展其第三代逆导（RC）软切换绝缘闸双极性电晶体（IGBT）产品系列，推出 30A和40A电流的1200V 和1350V型产品，以因应市场对高可靠性的持续需求。

2012-10-25

英飞凌 IGBT 逆导IGBT

自适应防雷技术工作原理详解

浪涌保护日益重要，但就目前的浪涌防护技术来讲还是有很多问题的，例如不能准确选择相应电压等级的浪涌防护器。欧申公司的自适应防雷技术就可以解决这一问题。

2012-10-25

自适应防雷 AEM

旁路电容设计的13条规则

考虑到了电路布局对性能的所有可能的影响，设计人员可以做些什么来确保版图避免振荡、失真和总体信号质量低下呢？下面的基本版图和旁路电容设计指南“设计规则13条”可能颇有裨益。

2012-10-24

旁路电容电容振荡

功率型NTC如何抑制浪涌电流

功率型NTC抑制浪涌电流的原理：在电子电路电源部分（LED驱动板，荧光灯换流器，加热器等），开机的瞬间会产生一个比正常工作电流高出百倍的浪涌电流。

2012-10-24

NTC 浪涌电流电路保护

D类功放和与AB类功放优缺点对比

“数字功放”的基本电路是早已存在的Ｄ类放大器（国内称丁类放大器）。以前，由于价格和技术上的原因，这种放大电路只是在实验室或高价位的测试仪器中应用。这几年的技术发展使数字功放的元件集成到一两块芯片中，价格也在不断下降。理论证明，Ｄ类放大器的效率可达到100％。然而，迄今还没有找到理想...

2012-10-24

D类功放 AB类功放数字功放

半导体三极管技术参数分析

中国、印度等新兴市场的成长将带动消费电子产品如LCD TV、笔记本电脑、台式电脑、双模数码相机（DSC）、手机，汽车电子，智能手机等终端产品需求量上升的强大助力，而3G建设等新产品新行业的的快速发展，进而带动上游半导体三极管的市场成长，给电子行业带来巨大商机。那么很多电子行业的生产企业在...

2012-10-24

半导体三极管

TDK的热辅助记录实现每平方英寸1.5Tbit

TDK公开了能够提高硬盘记录密度的新型磁头的开发成果。通过使用采用近场光的热辅助记录方式的磁头技术，实现了1.5Tbit/inch2的面记录密度，误码率（BER）为10-2。

2012-10-24

TDK 磁头硬盘

第一讲：解析雷电和浪涌的产生、危害及防护措施

众所周知，雷电具有极大地破坏性，其电压高达数百万伏，瞬间电流可高达数十万安培。现代电子设备功能越来越强，电路越来越复杂，元器件密度也越来越高，但承受电磁干扰或感应电压的能力越来越低。尤其是监控系统，多数都装在室外，更易受到雷击及浪涌的破坏，如不对这些电子设备进行雷电感应保护，...

2012-10-24

雷电浪涌保护

中国电子展发展的见证者

随着工业控制、汽车、轨道交通、物流设备、金融机具、航空及军用电子设备、安防、照明、测试、医疗仪器等新应用市场的兴起，供应商高利润业务被迅速拉动。针对先进制造业的工业电子市场，展会现场将开设众多热点产品展示区域和专业活动。值得一提的是，在中国电子展举办八十届之际，展会将增加一系...

2012-10-24

中国电子展

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