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如何使用非耗散钳位提高反激式效率
在反激式转换器的标准形式中，变压器的漏感会在初级场效应晶体管 (FET) 的漏极上产生电压尖峰。为防止此尖峰变得过大和损坏，FET 需要一个钳位网络，通常带有耗散钳位，如图1所示。但是耗散钳位中的功率损失限制了反激式转换器的效率。在这篇电源技巧中，我将研究反激式转换器的两种不同变体，它们...
2023-02-20
非耗散钳位 反激式
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芯片温度检测，什么方法最有效？
下面几种测温方法，都不能完全适用于芯片各环节的温度检测，那么，如何才能实现精准高效测温？
2023-02-17
芯片 温度检测
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5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！
当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiC MOSFET 是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于 SiC 半导体的开关电源，其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽...
2023-02-17
SiC 高能效 电力电子
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交流电源测量使用 PWM 和 PAM
PWM/PAM 乘法器的基本概念是单个周期内（非重叠）脉冲波形的平均值是脉冲面积除以脉冲重复周期。每个矩形脉冲幅度与电压成正比，宽度与电流成正比，矩形的面积与乘积成正比：电压乘以电流。如果脉冲重复率远高于被测频率，则可以假设电压和电流没有变化 明显地在脉冲波形的一个周期内。PWM/PAM 输出...
2023-02-16
交流电源 PWM PAM
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是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案
与硅技术相比，SiC MOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。
2023-02-09
SiC 组串式 逆变器
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堆叠LED可实现完全身临其境的虚拟现实显示
麻省理工学院的工程师们已经开发出一种新方法来制作更清晰、无缺陷的显示器。该团队并没有在水平拼凑中并排更换红色、绿色和蓝色发光二极管，而是发明了一种堆叠二极管以创建垂直、多色像素的方法，可以实现完全身临其境的虚拟现实显示和更高分辨率的数字屏幕。
2023-02-08
堆叠LED 发光二极管
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繁荣渐复 复苏加速 CITE 2023乘势而来
春节期间，国内消费复苏超出预期。春运客运量明显回升，春运前21天全国发送旅客7.91亿人次，全国高速公路总流量7.7亿辆次；春节假期出游人次恢复至2019年同期近九成，旅游收入恢复至七成；春节档票房较2022年同比上升20.3%，显著高于疫情前的2019年；伴随主要城市疫情峰值已过，在春节期间家庭聚餐...
2023-02-08
CITE 机械设施 技术系统
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碳化硅如何革新电气化趋势
在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料，它能减轻对硅的依赖。SiC 是宽禁带 (WBG) 半导体：将电子激发到导带所需的能量更高，并且这种宽禁带具备优于标准硅基器件的多种优势。
2023-02-03
碳化硅 电气化 趋势
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两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！
输入过压是由电网负载的巨大波动引起的。例如，在用电高峰期，电压通常较低，而在设备关闭时，电压则较高。
2023-02-03
开关电源 输入过压 电源管理 电路设计
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