能源电力-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

能源电力

开关电源中的安规电容

这个器件的种类，可以通过查看它上面的铭文来确定。?可以看到上面的标识符为JNC， JY102M。?通过网络查找该型号器件，?可以知道它属于安规电容。?它的容量为1000pF，?耐压为400V。?至于什么是“安规电容”，可以通过网络查到相应的说明。??在这里就不再重复了。?总之，在这里它就是一个电容器件。

2022-12-30

开关电源安规电容

储能系统提升智能电网的应用效率

受到国际局势与能源产量变化的影响，世界各国都面临着能源短缺的压力，除了一方面增加能源的产能与来源之外，通过技术的协助来降低能源的损耗，也是重要的发展方向。本文将为您介绍智能电网应用的发展，以及由 ADI 所推出的储能系统 (ESS) 解决方案的功能特性与优势。

2022-12-30

储能系统智能电网应用效率

储能系统解决方案改善能源的应用效率

随着世界局势动荡以及电力需求的增加，能源已经成为世界各国都需要面对的重要议题，除了积极提高电力的产能之外，如何善用储能系统（ESS）来保存与调节电力需求，便成为目前科技的重要发展方向之一。本文将为您介绍ESS的技术发展，以及由艾睿电子推出的ESS解决方案的功能特性。

2022-12-29

储能系统解决方案应用效率

电机驱动数字化制造的N个样本

中国及全球主要工业国家都正在推动工业和制造领域的转型，通过提升数字化水平和生产效率来抵消劳动力短缺和成本上涨。国内“十四五”规划拟将工业互联网平台应用的普及率从15%提高到45%，并在产品研发、制造执行、内部运营、维护服务和类似的流程中，将管理和运营的数字化比例从55%提高到68%。工业数...

2022-12-28

电机驱动数字化制造

浅谈碳化硅寿命中的挑战

功率半导体作为电力电子行业的驱动力之一，在过去几十年里硅(Si)基半导体器件以其不断优化的技术和成本优势主导了整个电力电子行业，但它也正在接近其理论极限，难以满足系统对高效率、高功率密度的需求。而当下碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体以其优异的电学和热学特性使得功率半导体器件...

2022-12-26

碳化硅功率半导体

简述SiC MOSFET短路保护时间

IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路时间不超过这个SCWT，器件基本上是安全的（超大电流导致的寄生晶闸管开通latch up除外，本篇不讨论）。

2022-12-22

SiC MOSFET 短路保护时间

双极性步进电机（上）：控制模式

步进电机具有独特的开环位置控制性能，这使它在智能时代广受欢迎。为确保步进电机在旋转时输出扭矩的平滑，需要考虑每个器件独特的需求。而电机旋转的稳定性则与其物理结构和控制模式密切相关。

2022-12-22

步进电机结构控制模式

先进碳化硅技术，有效助力储能系统

人们普遍认识到，碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低...

2022-12-22

碳化硅技术储能系统

使用控制器保护您的高边开关

在本设计解决方案中，我们回顾了在工厂环境中运行的执行器中使用的高边开关电路的一些具有挑战性的工作条件和常见故障机制。我们提出了一种控制器IC，该IC集成了各种安全功能，以监控电路运行，并在发生这些情况时采取适当措施防止损坏。

2022-12-21

控制器高边开关

首页上一页 47 48 49 50 51 52 53 54 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

开关电源中的安规电容

储能系统提升智能电网的应用效率

储能系统解决方案改善能源的应用效率

电机驱动数字化制造的N个样本

浅谈碳化硅寿命中的挑战

简述SiC MOSFET短路保护时间

双极性步进电机（上）：控制模式

先进碳化硅技术，有效助力储能系统

使用控制器保护您的高边开关

友情链接(QQ：317243736)