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使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 ...
2022-10-10
GaN 解决方案 TI
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运放的信号叠加电路与求差电路
实际应用中,常要获取两个信号的差值或对多个模拟信号进行叠加混合，这时就要使用信号叠加电路和求差电路。图一所示的反相比例和同相比例电路是比例运算电路的基本拓扑结构，以此为基础，利用叠加原理和戴维南定理就可以构造出信号叠加电路和求差电路。
2022-10-09
运放 信号叠加电路 求差电路
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SPARC：用于先进逻辑和 DRAM 的全新沉积技术
泛林集团发明了一种名为 SPARC 的全新沉积技术，用于制造具有改进电绝缘性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉积超薄层，并且在高深宽比的结构中保持性能，还不受工艺集成的影响，可以经受进一步处理。SPARC 将泛林无与伦比的等离子技术与化学和工艺工程相结合，实现了先进逻辑和 DRAM 集成设计...
2022-10-09
SPARC DRAM 沉积技术
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INS5699C全面满足智能电表应用中RTC指标要求
随着我国经济社会高速发展，居民用电量和企事业单位用电量也随之急剧增长，传统的电网采集系统已经无法满足需求，新的智能电量采集系统应运而生。电表集中器，也叫智能电表数据集中器，是智能电量采集系统中上下行通信的桥梁，在智能电量采集系统中占据重要的地位。
2022-10-09
INS5699C 智能电表 RTC指标
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红外热成像仪对放大器的芯片结温的仿真测试
随着 GaN 功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达 2000 Ｗ/(m•K)，是一种极具竞争力的新型散热材料，可用作大功率器件的封装载片。
2022-10-08
红外热成像仪 放大器 芯片结温
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走向特定领域的EDA
似乎越来越多的公司正在创建自定义 EDA 工具，但尚不清楚这一趋势是否正在加速以及它对主流EDA行业意味着什么。
2022-09-30
EDA 芯片
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【干货】强大的4开关升降压BOB电源，可升可降、能大能小
基于电感器的开关架构电源有3中常见的拓扑结构，分别是BUCK降压电源、BOOST升压电源以及BUCK-BOOST负压电源，今天介绍的第4中拓扑——4开关BOB电源，在手机、汽车、嵌入式等领域都有广泛应用，它的基本工作原理是怎样的呢？有什么优势呢？
2022-09-27
BOB电源 升压电源 负压电源
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技术如何提高器件性能和寿命
由于碳化硅（SiC）器件的低导通损耗和低动态损耗，英飞凌CoolSiC™ MOSFET越来越多地被用于光伏、快速电动车充电基础设施、储能系统和电机驱动等工业应用。但与此同时，工程师也面临着独特的设计挑战。实现更小的外形尺寸，同时保持功率变换系统的散热性能，是相互矛盾的挑战，但英飞凌创新的.XT技术...
2022-09-27
CoolSiC MOSFET .XT技术
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采用MEMS技术制备的全硅法珀传感器
近年来，微机电系统(MEMS)技术的发展，为光纤传感领域注入新活力，将其与光纤结合为高灵敏度压力测量提供可能。光纤MEMS法珀传感器具有高一致性、可大批量生产、性能优易稳定等特点。
2022-09-26
MEMS技术 全硅法珀传感器
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