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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技术如何提高器件性能和寿命
由于碳化硅(SiC)器件的低导通损耗和低动态损耗,英飞凌CoolSiC™ MOSFET越来越多地被用于光伏、快速电动车充电基础设施、储能系统和电机驱动等工业应用。但与此同时,工程师也面临着独特的设计挑战。实现更小的外形尺寸,同时保持功率变换系统的散热性能,是相互矛盾的挑战,但英飞凌创新的.XT技术...
2022-09-27
CoolSiC MOSFET .XT技术
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采用MEMS技术制备的全硅法珀传感器
近年来,微机电系统(MEMS)技术的发展,为光纤传感领域注入新活力,将其与光纤结合为高灵敏度压力测量提供可能。光纤MEMS法珀传感器具有高一致性、可大批量生产、性能优易稳定等特点。
2022-09-26
MEMS技术 全硅法珀传感器
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如果把开关电源的频率无限提升..........
估计很多新手工程师在设计开关电源计算变压器时发现,把电源的开关频率提高后变压器磁芯更加不容易饱和,或者说可以用更小的磁性做出同样功率的电源,甚至在想把开关频率无限制提高来无限制缩小变压器的体积。
2022-09-26
开关电源 频率
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析
半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言,始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通过仿真和应用测试,对英飞凌全新TRENCHSTOP™ 1700V IGBT7技术以及对应的同类最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模块 性能
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TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性
功率开关器件(如MOSFET, IGBT)广泛应用于新能源汽车、工业、医疗、交通、消费等行业的电力电子设备中,直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。因此,实现更低的开关损耗和更低的导通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。
2022-09-15
TO-247封装 MOSFET 源极管脚
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度变频器ACS180系列
变频器是各行业中至关重要的节能设备,ABB传动一直致力于用先进的产品和技术,创新的解决方案为客户创造价值,提高生产效能水平,助力变频器产业升级。
2022-09-14
ABB IGBT7 变频器
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电源应用问题之应用环境分析
本文简述开关电源常见的应用环境,分析各种典型环境因素对电源产品的主要影响机理,推荐与应用环境相匹配的金升阳电源产品,提升电源在不同应用环境中的可靠性。
2022-09-14
开关电源 应用环境 金升阳
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碳化硅MOS 四引脚封装在应用中的优势
瑞森半导体科技有限公司经过多年研发,推出碳化硅MOS和SBD系列产品,目前已得到市场和客户认可,广泛应用于高端服务器电源、太阳能逆变、UPS电源、电机驱动、储能、充电桩等领域。
2022-09-14
碳化硅 MOS TO-247封装
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瑞能半导体以效率优势探索,凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度
2022年9月6日,瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大举办的第九届中国国际半导体高管峰会(以下简称:CISES)。在CISES上,Markus Mosen先生发表了《新一代碳化硅MOSFET,正在打造更加绿色的未来》的主题演讲,聚焦在“双碳”背景的驱动下,碳化硅产业充满的机遇和前景,重点结合了最...
2022-09-08
瑞能半导体 碳化硅 MOSFET
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