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SiC MOSFET的桥式结构
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2022-01-17
SiC MOSFET 桥式结构
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。随着新能源受到全球政府的推动与支持，与新能源相关的半导体芯片需求激増，导致产能紧缺。绿色低碳技术创新应用是实现碳中和目标的重要一环，碳化硅是应...
2022-01-17
SiC MOSFET Si MOSFET 自举电路
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如何才能更易于实施安全性？扩展工业控制系统中的安全终端！
工业控制系统(ICS)中的网络安全问题势必延缓工业4.0的采用。许多企业领导者发现ICS网络安全挑战非常难以理解，因为众多因素导致其非常复杂。此外，开发工业控制系统解决方案的工程师可能尚未看到在设备层面的重大网络安全要求。
2022-01-16
工业控制系统 安全终端
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如何运用升降压芯片CS5517实现锂电池稳定输出3.3V/3.6V（1.2-5V）的电压？
随着包括无线耳机、健身设备、智能手表、水表与燃气表、便携式医疗设备以及各种电池供电的智能物联网设备的爆炸式增长，以锂电池为电源的应用越来越普及。大多数移动设备正常工作都需要一定的恒压电源，以保证系统正常运行。
2022-01-13
升降压芯片CS5517 锂电池
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状态监控(CbM)技术如何以更高能效实现海水淡化
如果我们可以饮用海水，会怎么样？这将对农业、可持续发展和全球生活质量产生巨大影响，但对能源的需求同样也很大。海水淡化技术非常耗电，且实施起来往往需要花费大量的时间和资源。 这项技术在效率上的任何提升，都相当引入注目。现在，随着ADI开发的OtoSense™平台，我们突然觉得，提高效率似乎...
2022-01-12
状态监控 技术 ADI
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高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图
随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。
2022-01-10
高深宽比刻蚀 纳米级图形 存储器
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双极结型晶体管——MOSFET的挑战者
数字开关通常使用MOSFET来创建，但是对于低饱和电压的开关模型，双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用，它们不仅可以提供出色的电流放大效果，还具有成本优势。
2022-01-07
双极结型晶体管 MOSFET
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高压放大器在频闪成像技术MEMS离面运动中的应用
MEMS是以微电子技术为基础，采用硅微加工技术、光刻铸造成型(LIGA)和精密机械加工等多种微加工技术制作的，关键尺寸在亚微米至亚毫米范围内的微传感器、微执行器和微系统的总称
2021-12-28
高压放大器 频闪成像技术 MEMS 离面运动
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PLBUS PLC模组助力打造新一代教室智能光照环境
近年来，近视在青少年人群中的发病率居高不下。有统计表明，小学生近视发病率基本保持在20%-40%之间，初中生近视发病率基本维持在50%-60%左右，高中生近视的发病率则可达到70%。造成这一现象的罪魁祸首之一就是青少年长期处于不健康的照明环境中。
2021-12-28
PLBUS PLC模组 教室智能光照
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